麻烦请教下大家关于电驱MOS中DS过冲的问题

飞飞飞机

我画了个110V水泵的驱动,GS波形（见图）所示
，
在50V0.5A的无RC吸收电路的情况下DS尖峰且有振铃（见图）
，
在查阅TI的推荐电路后添加RC吸收电路，添加后DS波形（如图）
。
现将电压调到110V8A的负载后DS尖峰达到208V容易导致MOS炸管
。
想请教下大神们我这个情况有什么方法能够减小这个尖峰，原理图和PCB见图

飞飞飞机

再麻烦问下这个为DS波形，这个第二个振铃是否是其他管开关时耦合过来的呢

z123

但我看好多成品驱动器，也没用ds的rc吸收电路

Pjm2008

上差分探头吧。有可能是共模噪声。

飞飞飞机

Pjm2008 发表于 2023-6-14 18:24
上差分探头吧。有可能是共模噪声。
(引用自4楼)

应该不太可能是噪声，有RC吸收后尖峰明显减少了

kitten

C4/C15是认真的么？人家选mos都要选Cgs/Qgs小的，你不嫌事儿大，还给并联一个

XIE2099

kitten 发表于 2023-6-14 22:44
C4/C15是认真的么？人家选mos都要选Cgs/Qgs小的，你不嫌事儿大，还给并联一个
(引用自6楼)

还有C7/C8,这几个电容有计算公式的，R5,R14 可以不要的，R6/R7 最好10R 以下

gyzzg2030

楼主这个尖峰大，还算凑合，要减小尖峰恐怕要改版试试，就是上管和下管的间距大了，功率回路要尽量小

飞飞飞机

XIE2099 发表于 2023-6-14 22:52
还有C7/C8,这几个电容有计算公式的，R5,R14 可以不要的，R6/R7 最好10R 以下
(引用自7楼)

好我今天试下

flash3g

kitten 发表于 2023-6-14 22:44
C4/C15是认真的么？人家选mos都要选Cgs/Qgs小的，你不嫌事儿大，还给并联一个
(引用自6楼)

当上管导通时，下管的 D-G 电容会被充电，从而使得下管的 G 极电位升高。如果这个电容值较大，那么会导致下管的 G 极电位升高过快，从而导致 MOSFET 烧毁。

为了避免这种情况发生，可以通过在下管的 G-S 之间并联一个电容来抵消 GD 之间的电容冲击