外扩64K SRAM与16位并行DA实时工作的讨论

chenfengbmlf

目的:通过DA输出正弦波.



实现方式:一个周期为1万个点,将一万个点放置外扩SRAM中,然后将这一万个点通过16位DA输出.



问题:

   1.通过改变端口A与端口C的功能 能否实现

     先将端口A与C设置为第二功能并将一个周期所需的一万个点放置外扩SRAM中,然后将外扩SRAM中的100个点导入内部SRAM中.改变端口A与C的设置,设置为I/O功能,通过DA输出Atmega128片内SRAM中的100个点.重复上述过程,将片外的数据导入片内并通过DA输出,实现端口A与C作为外扩SRAM使用的同时也实现实时DA输出的数据输入.



   按照上述方法使用可以吗?需要注意那些问题?

   ~~请老师给予帮助~~
-----此内容被chenfengbmlf于2006-11-21,11:17:27编辑过

machao

实在不理解。一个正弦波周期用1W个点？



如果外扩SRAM的话，那就采用外扩并行的DA芯片，比如外扩48KRAM，后面的空间给并行DA，不用转来转去的，从RAM中读一个数据，然后直接送到DA，速度也快。