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老头的专用电纸(个人博客,请勿回贴)

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发表于 2009-5-19 19:38:36 | 显示全部楼层 |阅读模式
这2天,我并不好过。在参与此活动的20天后,好象有点松口气了。自己也做了点事,多少有点自我安慰。
挺想zjiafu的,不知他何时回来。他肯定不会停下的。老黄牛白天要上班,我一个人有点孤单。CCGL也要有样品了,很快可以加入交叉实验。
对于交叉实验,应该相信,已经没有什么问题了。更多人的加入,也只是时间问题。

这里应该是年轻人的天地。几天前,和他们商量过,我要离开了,让他们合作一起干。他们也是同意的。每天打字都够累的,所以,我应该离开。
但彻底离开,从心里讲,我承认,我难以作到。目前进入三九,是个寒冷的日子。

另外,我还要自学“磁”,FPGA,还有那个“二阶段后”...

当有人讲起,“这个磁悬浮的设计估计来自于外国”,我的心是痛的..
当热心的郑伟还没有找到更好的磁悬浮,我有一种冲动。但我不得不考虑我的实力和我的身体。

所以,我想和阿莫商量一下,如同租一间房,我就在这里租这一张纸,一张电纸,一张私有的电纸。和他们既不在一起,又不远。
我想,这恐怕是个办法。 不过,说不定那一天,我默默地走了,欠下纸租走了,阿莫你就放这个纸客一码吧。

静候纸东阿莫签约
                                                                         65老头                  2009-05-19
发表于 2009-5-19 19:42:44 | 显示全部楼层
谢谢 elder60 。

elder60 影响我们的,不单是对技术的态度,而且还包括做人的态度。

应 elder60 要求,这将作为 elder60 的个人博客性质的专用帖子。请大家只查看,不要回复。谢谢。
 楼主| 发表于 2009-5-19 21:26:47 | 显示全部楼层
刚接到电话yanjian的电话,球内磁铁(3块一套)已发给阿莫18套,CCGL2套(另送100x60x20磁环一个),希望他们早日收到。
100x60x10磁环已委托加工10-20套,应在5-8天后能拿到,大家会静静等候的。是时,上海留2套,余数仍然发给阿莫。作为我的心意。
 楼主| 发表于 2009-5-19 21:52:40 | 显示全部楼层
阿莫和我是签过租纸协议的,在这里,甚至可以肆意攻击阿莫,哈哈,阿莫可能要后悔了。

清净多了。老了,还是清净些好。如同,搬进新房一样,有点陶醉的感觉。

“磁件组合”,这是我承诺过的啊,不能忘啊。
 楼主| 发表于 2009-5-19 22:03:22 | 显示全部楼层
这是今天写的,也贴在这里吧,写的时候,心情难以自控,几次血压升高,自己也很怕。
还有三九...九九回过头来看看,也有意思。
不过九九还没戏,不就丢脸了!  ......不会的!

十八天的回顾 (原写于磁悬浮开源设计活动召集帖,想想还是单独贴出好)

2009-04-30 阿莫 发    “磁悬浮开源设计活动召集帖”和“悬浮开源设计活动的参考样品 , 录像+图片”  
拉开了“磁悬浮”的序幕(一九),进行了务虚。9天后,有样品的只有三个人  
2009-05-08 zjiafu 发  “阿莫的磁浮样品原理图”  
2009-05-09 elder60发  “图评样品原理图”  
2009-05-15 ywl0409发  “品部分测试数据(将会逐步增加)”  
开始了第一阶段的讨论活动(二九)。大约又是9天后,就是这二天,我们已基本上清楚了原理。  
2009-05-18 交叉实验0号发布 开始了进行“交叉实验”的第二阶段。(三九)  
该阶段的首要目的是:自己的器件,自制的PCB,来实现别人的方案。同时,开始探索自己的方案。  

“三九”是最寒冷的,艰苦的,但很清楚:春天总是越来越近。  
目前,有样品的只有三个人,我相信阿莫和网站将支持我们“为更多的人参与活动而做的努力”。  
用不了多久,更多的人手上将有相关的元器件,开始活动。  
现在,只是在开路,大部队在后面,很多高手将会拿出各种方案来。  
更多人的智慧和努力,其结果必将更加灿烂。这一点,我有信心。  

感谢大家。
 楼主| 发表于 2009-5-19 22:26:38 | 显示全部楼层
今晚,估计老黄牛可以拆开另2个霍尔了,看看它的那个咪咪大的PCB和结构,位置。

霍尔如何替代呢?是HW101吗?这可是我“予先估计”的哦,明天先买一点试试再说。

老黄牛已经给出了线圈尺寸了。这么,没见其他人帮着上淘宝找找?咳!

刚在淘宝上找了一个,要3毛钱一个,怎么没尺寸呢?
 楼主| 发表于 2009-5-20 05:51:44 | 显示全部楼层
试试写个小剧本,粗点吧,反正可修改。

“高考前的张家和李家兄弟”

张家和李家各有一对双胞胎兄弟,都快要参加今年的高考了。都在拼命进行考前复习。
评良心说,李家兄弟俩要聪明的多,邻里都看好他们。
正因为李家兄弟俩都聪明,争执的情况也多些。邻里说,好,不争执的男孩会有出息吗?我想想,到也是。
他家复习的情况就不说了。

看看张家的吧:
“...我不同意,你再说一边...花不少时间了,快记下来。这是第5道看法不一致的题了。...快完了没有,看下一道。...”
晚上,是专门讨论看法不一致的时候,终于,看法不一致只有1道题了。明天问老师吧。赶快,还有“化学”呢。...

有意思,这算什么素质呢??? 我明白了,团队精神。

高考发榜的结果,我也不想去打听了。
 楼主| 发表于 2009-5-20 06:02:17 | 显示全部楼层
自带驱动器的BLDC里的PCB

去年还是前年的事了,旧货摊上,发现一块圆的PCB,好奇,买了下来。
显然,这是一块因什么原因,没装到产品中去的PCB。喔还是松下的控制芯片。研究一下...

他们早就生产了,怎么国内没见“自带驱动器的BLDC”呢?...


(原文件名:电机驱动板.jpg)


(原文件名:电机驱动板反.jpg)
 楼主| 发表于 2009-5-20 06:24:59 | 显示全部楼层
yanjian小伙子和磁铁

昨天下午yanjian来拿球内磁铁了,托他发给阿莫。他是志愿者。免费,不要钱。不错,我想网友们不会忘记他的。
拿了两个铁罐来装磁铁。笑死了,这磁铁那么厉害,怎么也掰不开啊。装了足足20分钟。这是他事先没有想到的。
是啊,这就是铷铁硼。我的年轻“同好(共同爱好)”们,很多人,也是没有这个经验的,要尽快到他们手上。
 楼主| 发表于 2009-5-20 07:28:24 | 显示全部楼层
厚着脸皮,向阿莫要了这张纸。要送样东西来谢谢他。哈,阿莫缺什么呢?我又有什么呢?麻烦来了。

阿莫的摄影还是不错的。不止天体方面怎样?长时间连续暴光,来个10个晚上...那...天方夜潭吗?

那是那一年了?(算算...以后问他们吧。)
开发部来了个上铁道的毕业实习生,还行。要我帮他出个毕业论文的题目。
谁知道这两年的论文水平到底怎样?太容易,我也丢脸。这样,搞个冷门的,让电子方面教授们也搞不清楚的,肯定不会不及格。
反正我也想学一学天体,太阳方面的知识(以后天体摄影,“聚焦太阳能”方面有用)
我“替他”认真地研究了一下,最终他整理,修饰成了“论文”,有点弄虚作假的味道。不过,只要他真懂了,也是好事。
论文的实质内容,是真货。不知在那一台电脑里了,或许早就没了。
 楼主| 发表于 2009-5-20 21:54:13 | 显示全部楼层
100片HW101D明天已经谈好,必须去拿的。其中60片,还有再过几天将到的环行磁铁,都将寄给网站,作为心意。
之所以选择HW101D,是因为它介于A-G档之间。请使用者注意。
关于电磁线圈,务必请各位重视。
 楼主| 发表于 2009-5-20 22:16:13 | 显示全部楼层
不知道现在有多少网友知道:
1. 在A类推挽放大器的负载是感性时,负载曲线不再是直线了,在输入是sin信号时,负载曲线将是椭圆。
这意味着其效率比A类放大器还低。
2. 驱动电磁线圈并非和驱动电机线圈一样,因为他的漏磁更大。
也就是说:漏磁的情况在变压器,电机,电磁线圈中,一个比一个大。
请大家注意。
 楼主| 发表于 2009-5-21 04:53:32 | 显示全部楼层
今天去拿100片HW101D,还有几片060,100个脚的家伙,又要苦了。
 楼主| 发表于 2009-5-21 06:23:55 | 显示全部楼层
应该怎样理解“专利”

zeropower 一块冰 发了个贴子:“相应磁悬浮,在专利局收了一通,找到几个类似有帮助的几个专利,发现现在的"专利"相当的垃圾!”
我数了一下,到现在,共有22个回帖,持正面观点的很少。想写一写我的想法。

1. 专利在西方国家的发展中,起了极大的作用。中国必须推广专利
2. 首先专利避免了从复劳动,可以在别人的基础上继续攀高。工程师必须懂专利,利用专利。
3. 我记得我工作转移到南通的那一年1984年,任传输室的副主任,招了几名大学生(也可称为“徒弟”),开始工作。
当年,正好颁布专利法。我自己研究了一下,感觉那是工程师自己的法,自己的工具,自己的武器。
于是每人要学2本书,一本是“MCS-51的技术手册”,另一本就是“专利法”。这个决定不是所里的,是我的决定。
我告诉他们,拥有专利并不难,但是要有“创意”。“创意”在我们的工作中很多。申请了3个实用新型,都批了。
我们得到了几百元的奖励。发明者的名字当然是我最喜欢的几个,也是最挨骂的几个。(我做人的原则中的一条就是
“亲者严,疏者宽”)他们很自然地是最早批准的工程师。
  几年后的一天半夜,接到“建”的电话:“师傅,我的专利证书,你那里还有没有?我要移民新西兰”....
  那时侯,专利的保护作用是很差的。这几年,有了很大变化。“建”后来当了老板,公司发展很快,出口不少,产值千万。
打了几个专利的官司,保护自己的利益。这和他的专利意识是分不开的。
4. 工程师如何利用专利?实用新型中,我估计有20-30%还是有新意的,这“新意”往往“躲藏”在专利中。
   由于专利法规定必须公开,而申请者希望尽量少公开(可以理解的),就产生了上述这种情况。
   所以,工程师要学会,如何“找专利,找关键技术”为自己所用。
5. 我们有时间的话,应该积极地自己去申请些高质量的专利。而申请的过程,将促使我们“精益求精”。
 楼主| 发表于 2009-5-21 17:18:25 | 显示全部楼层
采购回来了。
100片HW101A-D今天已经拿到。其中60片,将寄给网站。到后天23日(7天)将去询问环行磁铁的加工情况。
原来讲的型号HW101D不对,应叫HW101A-D。
还有7片A3P030,100个脚。该开始学习了。

把永磁铁和电磁铁的数据整理在此:
机壳的尺寸是160X160X20。
球的磁铁共5个单元,从小到大称为A,B,C,D,E。
A 16x6  B 30x3 C 40*3 D 50x3 E 60x2.5  (D E非永磁)
球的直径=85mm
球的重量=175g
下面的环型磁铁的外径=100mm,内径=60mm,高度=10mm。
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钕铁硼和Y30环行磁铁磁场强度比较        摘自样品部分测试数据(将会逐步增加)【1楼】 ywl0409 老黄牛
结论:两者相差2.4倍左右
条件:(传感器:UGN3503,灵敏度:典型值:1.3mV/G    范围(0.75--1.75mV/G  0~+/-900G)  )
        霍尔距离磁铁表面1.2cm 无磁电压:2.5V  
数据:
钕铁硼磁铁:N极:788G,S极:779G  
  底座磁铁:N极:322G,S极:336G  
**************************************************************************************
电磁线圈初测:                                摘自样品部分测试数据(将会逐步增加)【楼主位】ywl0409 老黄牛
直流电阻:9.9欧. 铁心直径:8mm. 线径0.4--0.45mm, 骨架:外径20mm,内径10mm,绕线宽度:13mm
电感  一个L=6.6mH,另一个L=6.532mH(测量频率=1KHz);
     一个L=7.286mH,另一个L=7.225mH (测量频率=100HZ) 基本差不多一致.
整个线圈的质量(包含骨架,铁芯)是16.3克.估计骨架,铁芯的质量是6g左右.所以,线圈内的铜线大约是10g.
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 楼主| 发表于 2009-5-22 07:03:30 | 显示全部楼层
从咕唧霖的新贴“咕唧霖的实验记录”得到的启发

1. 大家手上没永磁体,电磁线圈,是否不少地方永磁体比较难买。
2. 电源,示波器。
3. 应该先开始简单磁悬浮方案。
4. 等,就是浪费了最宝贵的时间。(我不是一直说:“上帝对大家都是公平的,每人每天24小时。请大家珍惜时间。)
 楼主| 发表于 2009-5-22 07:56:04 | 显示全部楼层
想想都别扭:
1.寄几块钱急需的零件,快递费却要10块。
2.和下次合在一起寄,浪费了时间。时间更值钱。
3.快递费降价,快递员也要活。....
 楼主| 发表于 2009-5-22 08:22:12 | 显示全部楼层
刚才提醒了CCGL 别忘了感谢寄磁铁给他的 yanjian。

爱好者+支援者,岂不更好。两者在进行活动时,心里都会有满足感。这是别人感受不到的。好象后者层次更高。
 楼主| 发表于 2009-5-22 09:02:05 | 显示全部楼层
设想上拉式的实验是否可以用USB的电源。方便大家实验。将实验的成本降到最低。
因为只有主板上的USB电路有保护,所以设想在实验电路中加个过流保护。
要求:
1.电流200-300ma
2.反应方式 即刻
3.恢复方式 两种。1.按纽 2.插拔USB
 楼主| 发表于 2009-5-22 09:46:54 | 显示全部楼层
环行磁铁已加工好,在到上海的路上。
老黄牛在努力采购骨架,有可能打算自己绕制或大家自行绕制。我们采购漆包线,分发。
 楼主| 发表于 2009-5-23 07:22:32 | 显示全部楼层
在自己电脑上找东西真苦,放这里吧。

(原文件名:日本小朋友想悬浮起来的东西.JPG)
必须知道他的重量,充磁方式,磁力大小。对不? 因为它是我们的研究对象。


(原文件名:2.4寸TFT放不进塑壳,差1mm 你说气不气人!.jpg)
22元一个,不要按忸16元。盲目地买了2个,一回家就量一下,发现差1mm 你说气不气人!
想早一点把我的2.4寸TFT放到壳里去。失望。
 楼主| 发表于 2009-5-23 07:24:37 | 显示全部楼层
今天写的心里话
非常非常谢谢antonine。而且我相信,只要有多个像楼主般准备潜心研究的朋友来关注,我们有理由期待能做出比样品更好的东西。
我心理非常明白:磁悬浮项目从难度上来区分,有好几个层次。这里的网友也有好几个层次。
我现在的状态是:“力不从心”,“苦不堪言”,“死不瞑目”。
我心理也非常明白:
真正的“研究磁悬浮”绝不是现在这种样子。 如果真正的高手和专家笑话我,他们有充分的理由。
我目前的确切的身份是“磁科学普及活动的参与者和志愿者”。
在这里没有测量工具,仿真工具,分析软件。。。
我期待LZ能写一点诸如“磁铁在磁场中收到的力”,“电磁线圈的磁场分布在磁铁加入情况下的变化”,“我们能‘看见’磁场吗?”这类图文并茂的科普文章,以帮助更多的人理解磁场。
能写此类文章,不是靠“水准”,“实力”,而是靠“心”,“心力”和“热”“热情”。
发点感慨,再次谢谢LZ。
                                                                            65岁老头  09-05-23
 楼主| 发表于 2009-5-23 07:56:05 | 显示全部楼层
昨天,向阿莫提出强烈抗议。终于,把版主的帽子给摘了。这种帽子最好戴在中年人的头上。我已经不配了。

陛下将驾临。

放个关键词:“开关式音频放大器”
 楼主| 发表于 2009-5-23 10:07:24 | 显示全部楼层
磁悬浮是否可以用 “模拟放大” + “音频D类放大器”方案?
各类放大器的优缺点
摘录自 http://www.esmchina.com/ART_8800056040_1400_2201_3401_0_e8717159.HTM

A类放大器,其优点是用于高端,高功率,低效高保_真音频;缺点是功耗高,大部分功率处于闲置。

AB类输出工作在AB模式,输出为推挽式。其优点是使用简单,可传送高质音频,是主流市场和高端市场最流行的放大器。而缺点是大功率和多通道时面临散热的挑战,要用各种结构和散热器。

D类放大器为开关模式放大器,把音频转换为高压方波以提高效率,然后用低通滤波器重建音频输出。其优点是可提供普通音质和高效率。而缺点是由于高压开关波形,产生EMI辐射,输出端需要LC滤波元件。

H类放大器用于大功率放大器和其他电压有限的应用,如汽车。其优点是电源跟着输出变化保持工作所需的高电压。缺点是使用有限,缺少吸引力。

G类放大器能在两个分立电源电压间切换。其优点是通常状态下低压,但在信号电平需要时切换倒高压。市场应用与H类相同。缺点同H类一样是使用有限。

大多数家庭立体声系统使用AB类放大器,但是有一些会转到D类。G/H类放大器提供变化的特性,电源可适应功率变化。G/H类希望象D类一样节约功率但仍会产生AB类质量的音频。
 楼主| 发表于 2009-5-23 10:15:56 | 显示全部楼层
磁悬浮是否可以用 “模拟放大” + “直流电机驱动器或步进电机驱动器”方案?

小功率的比如:L6269等,那么,如何接口呢?

点击此处下载 ourdev_447114.PDF(文件大小:962K) (原文件名:L6219 双全桥PWM电机驱动器.PDF)
点击此处下载 ourdev_447115.pdf(文件大小:235K) (原文件名:步进电机控制芯片UDN2916LB 原理及应用.pdf)

看来,二者的引脚是不一样的。所以,下面将以L6269为例。

芯片有两组电路构成,每组电路由PWM控制器、电桥及辅助电路组成。
每组的输入有4个:I0x,I1x,PHASEx,Vrefx。
其中,I0x,I1x是用于细分的,我们不需要,可以把它接死。
这样,就剩下2个脚了。
PHASEx(就是步进电机控制中的方向),=1时,OUTA高,OUTB低;反之,=0时,OUTA低,OUTB高。
Vrefx(就是步进电机控制中的幅度)

剩下的问题是我们如何解决接口的事了。

我是初学学,我衷心地希望有经验的工程师,能多作介绍。
 楼主| 发表于 2009-5-24 22:41:21 | 显示全部楼层
今天是5-24。
想起那个“三九”“四九”的,算起来5-27是“三九”的最后一天。
“磁零件组合”要抓紧。
今天和老许调侃了一翻。真要感谢他。他的处境几乎和我一样。
明天和老黄牛9点半约会在赛格,愿好运。
 楼主| 发表于 2009-5-25 05:49:12 | 显示全部楼层
又是,迷糊的一夜。脑子有点失控了。
我犯了错误:今天和老黄牛约好9点半在赛格。但昨天没收到的环行磁心快递,今天到,怎么办?...

xingcn 星尘将送给网友们磁珠100个。还有昨天老许。这是心意,是期盼。
这不是钱的问题,“我们不差钱,真的不差钱”。
 楼主| 发表于 2009-5-27 06:55:48 | 显示全部楼层
在“高手来解:USB保护电路”中我的最后一贴  2009-05-27,06:19:48
【67楼】 hsztc  
首先我有说的不对或认你不高兴的地方向你道歉!  
其次我成为这个论坛的会员时间并不长,我也不认识坛里的任何人。  
我不知道你是小学生,还是博士生导师,我只是对你提的问题做负责任的回答。  
我自知能力有限,坛里的每个人的能力都是有差别的,  
哪不对的可以说出来讨论下,别动不动就说出【22楼】这样的话(这让我很难过)。  
今天中午打开网页发现有不少人回复了,看了下看到第【35楼】我才明白你不是来提问题的,  
但我知道你全完知道自己问的问题的答案,我不知道你的用意,是为了考大家还是...(所以有点被耍的感觉)
**********************************************************************************
1. 我早已冷静。无须向我道歉。这样会使我不安。你并没有错。
2. 我在【22楼】说的话,是错的。我已道歉。
http://www.ourdev.cn/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=3354762&bbs_page_no=1&bbs_id=3049
3. 别动不动就说出【22楼】这样的话,
我没有这样,请在本贴以外,举例。
4. 我在22楼就离开的话,不会发生后来的事了。但若开新贴后又不知将怎样?我的目的仍不能达到。
5. 论坛像上海的“大世界”,不分年级的学校,一个教室又同时只能一人发言。
6. “考大家”我不敢,我处在中间水平。
7. “考”和“教”的主观意图有没有? 肯定有,我赖不掉。否则,我就不来此地。
8. 目的何在? 当一个好的志愿者,为同好服务;希望把我仅有的知识,多一点给别人。
9. 别人生我气怎么办?开个新贴,让他们去批判我,出出气。
10.你我怎么办? 把以前忘了,可能的话,再做朋友。
11.我有“已经知道答案,不全说出来的情况吗? 有,几乎都是这样。
12.那为什么?为了表现自己? 不,不是,偶尔是。
13.那又是为什么? 讲八成,留两成让他自己想,有好处。
   以前听恩师讲课时,也是这样。尽量自己想,把知识真正变成自己的。反对灌输。
.....
这就是我,说也说不清楚。这就是我,胡里又糊涂...

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 楼主| 发表于 2009-5-27 07:06:58 | 显示全部楼层
今天,27日,三九最后一天。
yanjian 说:要跑腿的吗? 我还帮你发! 从心里谢谢他。
还有:线圈铁心没有到手,磁珠在路上,漆包线要分成一段一段的。小磁芯还要补一点。
要准备多少份,还不清楚。
漆包线多了1公斤,要补钱。
 楼主| 发表于 2009-5-27 18:06:02 | 显示全部楼层
老许他太忙了,不知铁心何时能帮助解决?找了个老友的老友谈了谈。
没想到,电磁铁心很有讲究:工业纯铁,电磁纯铁.... 而且连标准都改了。摘录了一点 :
GB/T6983-2008电磁纯铁
本标准根据电磁纯铁产品的发展趋势,并国内生产使用情况,对GB/T 6983-1986《电磁纯铁棒材技术条件》、GB/T 6984-1986《电磁纯铁热轧厚板技术条件》和GB/T 6985-1986《电磁纯铁冷轧薄板》三个标准进行合并修订。  
  本标准规定了电磁纯铁的产品分类、尺寸、外形、重量、技术要求、试验方法、检验规则、包装标志和质量证明书等。  
  本标准适用于电磁纯铁热轧圆棒、锻制圆棒、冷拉圆棒、热轧盘条、热轧板(带)、冷轧薄板(带),也适用于最终用途的电磁纯铁连铸方坯、连铸矩形坯、连铸板坯和初轧坯。  
  本标准代替GB/T 6983-1986、GB/T 6984-1986和GB/T 6985-1986。与GB/T 6983-1986、GB/T 6984-1986和GB/T 6985-1986相比主要变化如下:  
字串7
  ——标准名称改为“电磁纯铁”;  
  ——对牌号及化学成分进行较大修改,取消了DT3、DT3A牌号,成分结构更适应于电磁纯铁材料发展的需要;  
  ——调整了标准的品种范围,增加了连铸方坯、连铸矩形坯、连铸板坯、初轧坯、热轧盘条品种,对新增品种增加了相应的规定;  
  ——增加、修改了规范性引用文件;  
  ——增加了产品的订货内容;  
  ——增加了产品的牌号的说明;  
  ——增加或修改了电磁纯铁冷轧薄板(带)的尺寸、外形、重量及偏差和表面质量的规定,取消了电磁纯铁冷轧薄板有关超级精度的规定;  
  ——增加了“电磁纯铁产品出厂磁性检验一般只检测矫顽力(Hc),并根据矫顽力值判定牌号”的规定;修改了磁性能检验试样热处理工艺和矫顽力磁时效增值检验的规定;修改了矫顽力磁时效增值的表述;  
  ——增加了对直径小于60mm的圆钢及热轧盘条的磁性能检验方法;  
  ——增加了电磁纯铁连铸坯、初轧坯、直径大于150mm的圆棒、厚度大于20mm的热轧板材有关磁性检验和交货牌号的规定; 字串6  
  ——增加了热轧板材力学性能检验及技术指标要求,适当修改了热轧及锻制圆钢的力学性能指标,并修改了技术指标表示符号和单位名称;  
  ——增加了电磁纯铁圆棒关于低倍取样方法的规定;增加了电磁纯铁板材矫顽力试样和冷弯试样取样方法的规定

实在隔行如隔山。。。
而且我们只用一点点。
 楼主| 发表于 2009-5-28 08:49:21 | 显示全部楼层
◆备忘:三极管Vbe的温度补偿。
 楼主| 发表于 2009-5-29 15:14:12 | 显示全部楼层
想写个关于磁悬浮的打油诗。掌握的知识不够,无从着手。
想一点,记一点。

磁悬浮,磁悬浮,要想爱你不容易,
近也难,远也难,不近不远最合宜。
观察磁场做工具,粮草先行是真理,
侦察队伍快建立,无他打仗要输的。

目标磁场要检测,驱动磁场混一起,
敌我混战不合适,方法几种要学习。



老少同好共学习,年级还要分清的,
打算要上几年级,根据情况定自己。
一步登天不可能,脚踏实地才是真,
聪明勤奋都需有,学习方法最讲究。

郭靖为啥当老大,多拜师傅成就他。

*************************************************
不光玩,学习电机磁驱动 潜艇 医疗,DNA 电磁炮。
学习方法:一人化,举一反三,类比,挪用。反向工程。
基础知识补,形式逻辑,模电,运放,PWM PDM BLDC 步进电机驱动芯片原理

机械:惯性, 力 加速度 速度 位置 距离
电:反馈 电流  安匝概念。
材料: 纯铁。铷稀有国产宝贵
加工,新DIY方法。绕线。无骨架。

算了,算了。没这个天赋。就别骚包了。
 楼主| 发表于 2009-6-1 06:02:09 | 显示全部楼层
“■“上拉式磁悬浮”的5种方案,还有吗?”

不用磁传感器,用其他传感器,比如“力传感器”,“谐振线圈”。

线圈驱动中加入其他频率专用于测量?...

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PID 不是“万灵药”!!!!
至少不是“万灵特效药”!!!!

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地球重量:176g
磁珠重量:18-21g
我绕的第一个线圈,15g
 楼主| 发表于 2009-6-3 05:54:05 | 显示全部楼层
为了开始学习一点磁的知识,昨天开了个贴:
让我们来讨论:“磁铁在电磁线圈外轴线上某距离点上受到的的力F 和 该距离L的关系”

有一种感觉,好象有点力不从心。拿 gzhuli 咕唧霖的话来说:“水越来越深了...”
我的感觉是,不该来“深水区”甚至“中水区”。因为基本功没练好,要呛水的。

为此,开贴:“■从“烧结型铷铁硼的磁性能参数表”中学一些磁的基础知识”

以前,永磁体记得只有2个关键参数:剩磁,矫顽力。
现在怎么又有了“内禀矫顽力”????什么意思??

怎么办? 唯一的办法是:回到“浅水区”,从头学起。
 楼主| 发表于 2009-6-3 07:10:07 | 显示全部楼层
回到“浅水区”
(特别声明,我的这些看法,是非主流的。请批判地参考。)

1.在“非分布式磁路”的情况下,磁通量与磁通密度相关公式:
     Ф = B * S                       ⑴ Ф  磁通;B 磁通密度;S  磁路的截面积
     B = H * μ                    ⑵ μ  磁导率;H 磁场强度
     H = I * N / l                   ⑶ I  电流强度;N 线圈匝数;l 磁路长度

  合并一下,     Ф = μ  *  S/l  *  N  *  I    --[A]  

  上式表示 磁通量 Ф 分别和 材料,结构,线圈匝数,工作电流有关。

结论:1. 在B和H的关系中H是“主导”的,是“源头”。
      2. H 正比于 I,N。
      3. 任何缩短磁路长度 l 的措施,都将增加磁场强度 H,从而增加磁通密度B 和磁通量 Ф 。

2. 最早将 H 的名字叫做“磁场强度”的人是混蛋!

60年左右,我上中学,学到“磁场强度”时,就闹糊涂:
“强度”,测量不到的“强度”,奇怪!?
我好象觉得磁通密度B 倒像是反映了磁场的“强度”。
我就问老师。老师是好老师(我有辛一辈子都碰到好老师),他也有同感,但无奈。
就像人被他爸起了名字叫“狗子”,就没办法一样。

从那时起,我心里就一直想:“最早将 H 的名字叫做“磁场强度”的人是混蛋!

尽管对 H 的名字被叫做“磁场强度”不满,H在我的心里,就是“I * N / l”,也就是“电流*匝数/磁路长度”。
后来,自己学着设计变压器,手工绕制变压器,倒非常顺利。
 楼主| 发表于 2009-6-3 21:06:15 | 显示全部楼层
3. 磁滞回线

(原文件名:各种磁滞回线.JPG)
 楼主| 发表于 2009-6-4 07:16:48 | 显示全部楼层
下面的二段话,有点意思。

  “磁场的强弱”可以有两种表示方法:
在充满均匀磁介质的情况下,若包括介质因磁化而产生的磁场在内时,用磁感应强度B表示,其单位为特斯拉T,是一个基本物理量;
  单独由电流或者运动电荷所引起的磁场(不包括介质磁化而产生的磁场时)则用磁场强度H表示,其单位为A/m2,是一个辅助物理量。

  从磁感应强度的定义来看,磁感应强度完全只是考虑磁场对于电流元的作用,而不考虑这种作用是否受到磁场空间所在的介质的影响,这样磁感应强度就是同时由磁场的产生源与磁场空间所充满的介质来决定的。
  磁场强度则完全只是反映磁场来源的属性,与磁介质没有关系。
 楼主| 发表于 2009-6-9 10:26:50 | 显示全部楼层
今天是6月9日了,终于把东西交给yanjian了。其中,每个人4只霍爾HW101A-D。
我希望大家手上的霍尔比较一致,有利于交流和讨论。

查了一下,其实在06年的“有人知道光驱里的霍尔传感器怎么用吗?(附图)”一贴中,yanglz618 和 lurker_soo 紫陌紅塵 就把HW101A讲得很透彻:
四个脚完全对称的,选任意两个对角的为输入端,另外两个对角的为输出即可.输入端一般需要串接电阻以限流,具体串多大电阻看你的输入电压取多少.
此IC可参考HW101的资料,任意两个对角做电源,也可以做输出。电源和输出是可以互换的。因为输出电压较低,所以在使用时需要另接比较器放大。

我自己还没有这方面的实践经验,但我是看中它2方面的好处:1.无源器件 2.体积小。

和UGN3503的比较:
3503的手册上给出的灵敏度的测试条件是: 在0~+/-900G范围内 0.75--1.75mV/G  
这个参数是模糊的,它包含了2层含义:灵敏度和灵敏度的非线性。

从HW101的资料来看D档的器件,其灵敏度 = 196-236mv/B=50mT(500高斯)(Vc=1V时)。即0.392-0.472mv/G。
平均相对误差=2*(236-196)/(236+196)= 18.5% (即+ -9.8%)
灵敏度比3503低4倍,这不是坏事,是好事。因为这反而表示动态测量范围大了。
 楼主| 发表于 2009-6-12 10:36:40 | 显示全部楼层
今天是6月12日了,除CCGL外,其余都已收到yanjian发的东西了。
2009-04-30 阿莫发召集帖至今45天,告别五九,进入六九。电纸至今也24天了。
 楼主| 发表于 2009-6-17 05:47:38 | 显示全部楼层
上拉式“平衡电流”测量。(所谓“平衡电流”,就是吸力等于目标磁铁的重力时的电流。)
从曲线中可以看出可控距离的大致范围。

(原文件名:目标磁铁的'距离-平衡电流'曲线.JPG)

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GaAS霍尔元件THS119分拣结束,离散性并不大:
共44个器件,其中39个相对读数在171mv-178mv之间(+-3.5%),余5个<+-7%。
整整一天。为此还做了一个测试电路和插座。

测试电路很简单:2节悝电池经3.3V稳压作为电源。实测3.25V。
串200欧姆接器件(为简单,非电流或电压供电),实测,器件输入电压=2.53V。
霍尔器件直接放在一磁铁表面读数。可以发现,在中心的一个比较大的面积上,读数变化小于等于1个字。
反转磁铁,再测,2次读数取大者。

测量的额外发现:
1. 直径小的磁铁,一般B较大。直径15的3块磁铁吸在一起,读数变大近1倍,可达到330mv以上。
2. 直径20以上的磁铁,其中心的B有最小值,边缘反而大一些。这种现象在直径大的磁铁上特别明显。

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我会记住这句话:
elder60 60岁老头 迷你型的磁悬,USB 驱动应可以的。(“我做的上拉式磁悬浮”【34楼】 wmsky 平凡的世界 语)
因为办法是很多的。
 楼主| 发表于 2009-6-19 09:55:58 | 显示全部楼层
做了个大电流传感器,为实验作准备。

(原文件名:自制大电流传感器.jpg)
 楼主| 发表于 2009-6-22 05:16:33 | 显示全部楼层
磨掉型号的IC是TL494。终于让它现原形了。(参见“我又拿到了一个磁浮,别人送的。”)
此电路用TL494的构思不错,可以不用散热器了。
但无过六保护,容易损坏。
电源改为开关电源后,有自激。


(原文件名:原理图.jpg)


(原文件名:TL494图解.gif)
 楼主| 发表于 2009-6-26 18:13:12 | 显示全部楼层
磁悬浮中的PID控制

(原文件名:磁悬浮中的PID控制.JPG)

简说PID控制

第k个采样时刻的控制输出u(k)
u(k) = Kp * [e(k) + Ts/Ti*Σe(j=0-k)(j) + Td/Ts*(e(k)-e(k-1))] + u0
式中:
u0 控制量的基值(即k=0时的控制);Kp 比例放大系数;Ti 积分时间;Td 微分时间;
Ts 采样周期。
常数项合并,上式可改写为:
u(k) = Kp*e(k) + Ki*Σ(j=0-k)e(j) + Kd*(e(k)-e(k-1))] + u0          (A)
Kp 比例放大系数;Ki=Kp*Ts/Ti 积分放大系数;Kd=Kp*Td/Ts 微分放大系数.

实用中,用偏差和变量SumErr来代替 Σ(j=0-k)e(j),方法是SumErr += e(k).

增量式PID算法:
由(A)用k-1代替k,可得:
u(k-1) = Kp*e(k-1) + Ki*Σ(j=0-k-1)e(j) + Kd*(e(k-1)-e(k-2))] + u0 (B)
用(A)-(B)得:
Δu(k) = u(k) - u(k-1)
       = Kp*[e(k)-e(k-1)] + Ki*e(k) + Kd*[e(k) - 2*e(k-1) + e(k-2)]
       = (Kp + Ki + Kd)*e(k) + (-Kp - 2Kd)*e(k-1) + Kd * e(k-2)
       = q0 * e(k) + q1 * e(k-1) + q2 * e(k-2)
增量式PID算法直接算出控制量的增量,常用于驱动步进电动机时。
由于它运算简单(只有3个乘法),所以可以用来替代位置式算法:
u(k) = Δu(k) + u(k-1) = q0 * e(k) + q1 * e(k-1) + q2 * e(k-2) + u(k-1)


前馈控制系统:
    通常的反馈控制系统中,对干扰造成一定后果,才能反馈过来产生抑制干扰的控制作用,
因而产生滞后控制的不良后果。
    为了克服这种滞后的不良控制,用计算机接受干扰信号后,在还没有产生后果之前插入一
个前馈控制作用,使其刚好在干扰点上抵消干扰对控制变量的影响,因而又得名为扰动补偿控制。
 楼主| 发表于 2009-7-1 10:07:46 | 显示全部楼层
对微步进电机驱动器A3977的理解(通过资料和波形观察来了解其内部电路)

    A3977 内部集成了步进和直接译码接口、正反转控制电路、双 H 桥驱动,电流输出 2.5A,最大输出功率可接近 90W。
它主要的设计功能包括:自动混合模式电流衰减控制,PWM 电流控制,同步整流,低输出阻抗的 DMOS 电源输出,全、
半、1/4 及 1/8 步进操作,HOME 输出,休眠模式以及易实现的步进和方向接口等。
    微步进电机驱动器的PWM电流调节器需要有一个模拟电压作为比较值。该模拟电压需要D/A转换器来产生。微步功能要有
“参考值表(即时序表,其中包括电流极性)”,另外,(由于步进电机的线圈电流要增加容易,要衰减困难),慢、快或
混合三种衰减模式要在不同的条件下来选择。为了减少系统的微处理器的负担,A3977在“一定程度上”,自己处理了这些问题。
    由于工艺问题,内部H桥的续流二极管不可能是肖特基二极管。但A3977有同步整流流功能,这样,降低了系统的功耗,又可
以在应用时省去外加的肖特基二极管。
    A3977的主要特点:
(1)额定输出为:±2.5A,35V。
(2)低输出阻抗,源端 0.45Ω,接收端 0.36Ω。
(3)自动电流衰减检测并选择混合、快和慢等电流衰减模式。
(4)逻辑电平范围为 3.0~5.5V。
(5)有HOME 输出。
(6)降低功耗的同步整流功能。
(7)内部低压关断、热停车电路及环流保护。

关于A3977的PWM
    虽然A3977号称是有PWM的,但我认为实际不是这么回事。如同大多数步进电机驱动器一样,该器件的电流驱动方式是:
“导通,若电流到达‘设定值’,则截止一个固定的时间”。截止时间Toff 是由RC1和RC2引脚对地所接的电阻RT和电容CT决定的,
即:toff=RT * CT
    也就是说,A3977的所谓“PWM”,和我们习惯的有固定周期和“占空比”概念的PWM是二回事。

待续
 楼主| 发表于 2009-7-1 18:35:35 | 显示全部楼层
阿莫的“我们的A3977驱动器波形图与温升数据 正式版 (使用 Mach2 软件驱动)”,对我理解A3977的原理和内部结构帮助很大。
发一图解。

(原文件名:■从‘300RPM波形’分析A3977内部电路1.JPG)
 楼主| 发表于 2009-7-3 18:22:54 | 显示全部楼层
准备实验:
此板有个好处:把VDDA,VSSA引出,而且就近有电容的焊盘。希望比我的评估板的AD效果好。

(原文件名:6元钱买的STM32核心板(空PCB)的引脚.JPG)

(原文件名:装好器件的PCB.jpg)
 楼主| 发表于 2009-7-7 19:50:40 | 显示全部楼层
STM32101找出来了(自己放的地方,可是忘记了)。
已经焊好,但不知什么原因JTAG连不上。结果是因为VDDA和VSSA没有接的原因。

具体信息是:
1. MCU是STM32101C6T6,A版。
2. 仿真器,ULINK Me(不过,原来JTAG1脚是不输出3.3V的,我为了方便调试,在ULINK Me的内部连接了一下);
3. 小系统板上只1.连接了RESET的阻容;2.3.3V电源上并联了3个104;
   3.BOOT0和1,均串100K接地;4.2个晶振和相关电容均未接;
4. JTAG的引脚是:VCC(3.3V),TRST,TDI,TMS, TCLK,TDO, RST,GND
          分别接MBU的3.3V,PB4,PA15,PA13,PA14,PB3,RESET,GND。
VDDA和VSSA间接了个474。

JTAG是这样接的:

(原文件名:我是这样连JTAG的1.jpg)


(原文件名:我是这样连JTAG的2.jpg)
 楼主| 发表于 2009-7-9 09:52:20 | 显示全部楼层
由于要用STM32的脚OG输出5V以上的电压来驱动H桥的下臂,“STM32能OG输出5V吗?”这个问题必须要明确了。
那么“容忍电压”到底是多少呢?


(原文件名:STM32能OG输出5V吗?.GIF)

我的“关于5V容忍电压的实验”:
1. 置PB6于OG输出模式。
2. 5V容忍脚(选PB6)串接12K电阻到“外接电压”。
3. “外接电压”=8.00V,VPB6在输出1,0时,分别为7.92V和0.02V。
4. “外接电压”=5.50V,VPB6在输出1,0时,分别为5.50V和0.02V。
5. 5V容忍脚(选PB6)串接200欧姆电阻到“外接电压”。
6. “外接电压”=5.50V,VPB6在输出1,0时,分别为5.50V和0.66V。(对应的拉电流=25ma)

结论:STM32不仅能OG输出5V,甚至可以到8V。不过,根据数据手册,5V容忍脚最大电压值是+5.5V。

下面是数据手册的其他数据:
STM32的工作电压(VDD)为2.0~3.6V.最大值是4.0V。
5V容忍脚最大电压值是+5.5V。
其它脚最大电压值是VDD+0.3V。
Iio 的拉电流和灌电流的最大值都是25ma。(IVDD和IVSS的总电流最大值是150mA)

这些都是必须遵守的。
 楼主| 发表于 2009-7-10 19:44:43 | 显示全部楼层
■电磁线圈电流的计算
一. 带铁心电磁线圈的时间常数还是比较大的,降电流靠“自然放电(慢衰减)”还是比较慢。
1.1. 老黄牛测的线圈:电感量为3.13mH. 直流电阻:4.95欧 时间常数τ = L/R = 0.632ms
电感两端的电压Ul = L*di/dt
1.2. RL放电曲线::(相当于二极管续六流时)
Ul + Ur = 0;        L*di/dt + R*i = 0 ;求解后:
i = I0 * e^(- t/τ) = I0 * e^(- R/L * t); 其中时间常数τ = L/R
(e = 2.718281828 ;1/e =0.367879)
1.3. 求放电时间
i = I0 * e^(- t/τ);        i/I0 = e^(- t/τ);        ln(i/I0) = - t/τ

最终电流        i/I0        0.5        0.2        0.1        0.05        0.02        0.01       
需要时间        t/τ        0.69        1.61        2.30        3.00        3.91        4.60
将时间常数τ = L/R = 0.632ms代入,则
需要时间        t(ms)        0.346        1.01        1.454        1.90        2.47        2.90

二. 开关控制时的电流变化
当选择控制频率=20KHz时,周期Tc=50us。
电源电压取12V,则每周期的电流变化的最大值(PWM全通时,时间短,可以忽略电阻)
= Ul/L*Tc = 12/3.13 * 50 * 10^(-3) = 0.191A
 楼主| 发表于 2009-7-17 07:41:44 | 显示全部楼层
非晶(微晶)这2年发展很快,要学学。
                几种常用磁性材料的基本性能
材料名称        纳米非晶        钴基非晶        铁基非晶        MnZn铁氧体        铍莫合
导磁率μ
10KHz                 ≥50000         90000                 4500                 2300                 20000
100KHz                 16000±30%         18000                 4500                 2300                 ***
饱和磁感应度Bs(T) 1.35                 0.53                 1.56                 0.51                 0.8
剩余磁感应强度Br(T)0.6Bs         0.5Bs                 0.65Bs                 0.2Bs                 0.5~0.9Bs
矫顽力 HcA/m        1.3                 0.32                 5.0                 8.0                 2.5
功 耗 W/Kg        3                 5                 35                 17                 14
(25KHz,100Mt,100℃)
居里温度 Tc        600                 210                 415                 215                 400
(℃)
密 度 g/cm3         7.4                 7.7                 7.18                 4.9                 8.7
 楼主| 发表于 2009-12-13 16:25:49 | 显示全部楼层
5个月没写点什么了,现在可以写写了。
   二〇〇九年五月二十六日至二十七日,在上海召开了‘非共识重大科技创新研讨会'。
颇多争议的范良藻先生在其“基础研究是创新的核心动力兼谈发明之道”一文中提起了魏乐汉和他的MAS制磁浮。
   2004年上海工博会上,我和夫人参观了魏乐汉的MAS制磁浮,还和他交谈了不少时间,很想他。
   发个照片来纪念他。

(原文件名:魏乐汉在设计他的磁悬浮列车.jpg)

(原文件名:魏乐汉和他的磁悬浮列车.jpg)

(原文件名:魏乐汉的磁悬浮列车专利图例.JPG)
 楼主| 发表于 2009-12-14 13:31:15 | 显示全部楼层
麻烦事来了:怎么焊接?

(原文件名:我的125x125太阳能电池片 仅重7G.JPG)

(原文件名:这是反面.JPG)

简易制作组件的视频。
http://you.video.sina.com.cn/b/16214183-1545015152.html


组件生产工艺

组件线又叫封装线,封装是太阳能电池生产中的关键步骤,没有良好的封装工艺,多好的电池也生产不出好的组件板。电池的封装不仅可以使电池的寿命得到保证,而且还增强了电池的抗击强度。产品的高质量和高寿命是赢得可客户满意的关键,所以组件板的封装质量非常重要。
工艺流程如下:
1、电池检测——2、正面焊接—检验—3、背面串接—检验—4、敷设(玻璃清洗、材料切割、玻璃预处理、敷设)——5、层压——6、去毛边(去边、清洗)——7、装边框(涂胶、装角键、冲孔、装框、擦洗余胶)——8、焊接接线盒——9、高压测试——10、组件测试—外观检验—11、包装入库;
1.2工艺简介:
在这里只简单的介绍一下工艺的作用,给大家一个感性的认识,具体内容后面再详细介绍:
1、电池测试:由于电池片制作条件的随机性,生产出来的电池性能不尽相同,所以为了有效的将性能一致或相近的电池组合在一起,所以应根据其性能参数进行分类;电池测试即通过测试电池的输出参数(电流和电压)的大小对其进行分类。以提高电池的利用率,做出质量合格的电池组件。
2、 正面焊接:是将汇流带焊接到电池正面(负极)的主栅线上,汇流带为镀锡的铜带,我们使用的焊接机可以将焊带以多点的形式点焊在主栅线上。焊接用的热源为一个红外灯(利用红外线的热效应)。焊带的长度约为电池边长的2倍。多出的焊带在背面焊接时与后面的电池片的背面电极相连。(我们公司采用的是手工焊接)
3、背面串接:背面焊接是将36片电池串接在一起形成一个组件串,我们目前采用的工艺是手动的,电池的定位主要靠一个膜具板,上面有36个放置电池片的凹槽,槽的大小和电池的大小相对应,槽的位置已经设计好,不同规格的组件使用不同的模板,操作者使用电烙铁和焊锡丝将“前面电池”的正面电极(负极)焊接到“后面电池”的背面电极(正极)上,这样依次将36片串接在一起并在组件串的正负极焊接出引线。
4、层压敷设:背面串接好且经过检验合格后,将组件串、玻璃和切割好的EVA 、玻璃纤维、背板按照一定的层次敷设好,准备层压。玻璃事先涂一层试剂(primer)以增加玻璃和EVA的粘接强度。敷设时保证电池串与玻璃等材料的相对位置,调整好电池间的距离,为层压打好基础。(敷设层次:由下向上:玻璃、EVA、电池、EVA、玻璃纤维、背板)。
5、组件层压:将敷设好的电池放入层压机内,通过抽真空将组件内的空气抽出,然后加热使EVA熔化将电池、玻璃和背板粘接在一起;最后冷却取出组件。层压工艺是组件生产的关键一步,层压温度层压时间根据EVA的性质决定。我们使用快速固化EVA时,层压循环时间约为25分钟。固化温度为150℃。
6、修边:层压时EVA熔化后由于压力而向外延伸固化形成毛边,所以层压完毕应将其切除。
7、 装框:类似与给玻璃装一个镜框;给玻璃组件装铝框,增加组件的强度,进一步的密封电池组件,延长电池的使用寿命。边框和玻璃组件的缝隙用硅酮树脂填充。各边框间用角键连接。
8、焊接接线盒:在组件背面引线处焊接一个盒子,以利于电池与其他设备或电池间的连接。
9、高压测试:高压测试是指在组件边框和电极引线间施加一定的电压,测试组件的耐压性和绝缘强度,以保证组件在恶劣的自然条件(雷击等)下不被损坏。
10、组件测试:测试的目的是对电池的输出功率进行标定,测试其输出特性,确定组件的质量等级。
 楼主| 发表于 2009-12-15 09:47:46 | 显示全部楼层
EVA倒是可淘的。但不是专业太阳能的。
http://item.taobao.com/auction/item_detail-db1-7da37283c7f292b24efa8c02ff27d847.htm

汇流带用镀锡铜带淘不到。


有一个这样的代步车多好啊!
http://v.pconline.com.cn/video-5867.html
 楼主| 发表于 2009-12-17 09:24:34 | 显示全部楼层
前天,给南昌市第一医院的杜医生打了个电话,表示了歉意,心里总算平衡了一点。
磁悬浮用于无线内窥镜,显然不是我等努力可以实现的。
无线内窥镜是一个MEMS产品。今后几年会很快发展的。但作为兴趣爱好,还是一个不错的项目。

几个图片和

几个消息:

1.   拥有两项美国专利的肖国华团队 获武汉东湖新技术开发区500万资助        长江日报消息
  肖国华1998年获美国中佛罗里达大学电子工程及电子光学博士学位,他将在美国硅谷开发的“巡航”系统带回武汉。这是一种可定位可控制的胶囊内镜,运用光电子技术后,医生通过分析图像就可了解病人消化道状况。目前该样品已试制成功,即将进入临床阶段并将申请两项美国专利。专利的内容可能有关“消化道巡航系统”
    另据报道,肖国华成立的公司好象安康科技有限公司。
2.  重庆大学早在863计划中就有项目在做。04,05年就有皮喜田老师他们研发的“给药系统”。

(原文件名:2005年重庆大学研制的磁定位跟踪系统.JPG)
3.  重庆金山科技集团在国内是“胶囊内镜”批量生产单位,但主要用于小肠镜。
    我想,之所以用于小肠镜,一是小肠检测是空白,二是杜医生的构想要实现不是容易的事。
 楼主| 发表于 2009-12-24 17:36:30 | 显示全部楼层
■梯度 散度 旋度和矢量运算

标量φ的梯度▽φ
矢量A的散度▽·A (也记为divA)
矢量A的旋度▽×A (也可记为rotA或curlA)。
“▽”这个算符叫做哈密顿算符,也叫劈尖算符 劈形算符 微分算符
符号本身名字是nabla symbol,故也读为“耐普拉”。

1. 矢量加法
为了把矢量A和B相加(见图1),首先把它们分解为Ax,y和Bx,y。
例如,Ax = |A|cosα,Ay =|A|cosα, 其中|A|是矢量A的长度。
相加后的矢量为C:
Cx = Ax + Bx,Cy = Ay + By。这一结果还可以转换为极坐标(包括幅值和角度)。
2. 矢量减法
与矢量加法相似,首先把矢量A和B分解,然后相减的结果为C:
Cx = Ax - Bx,Cy = Ay - By。

图1:矢量A和B,它们的分量Ax,y和Bx,y及其与X轴的夹角α和β。
这两个矢量之间的夹角为α - β = △。在X和Y轴方向的单位矢量为^A和^B。

3. 矢量乘法
矢量相乘有两种形式。第一种为点乘,A * B = AxBx + AyBy,这是一个标量。如果A、B都为单位矢量,那么结果就是两个矢量之间夹角的余弦。
   另外一种形式是叉乘积。其结果也是一个矢量,方向与矢量A和B垂直。其分量可以按下面的式子求得:
                |^x  ^y  ^z|
     C         = det        |Ax  Ay  Az|
                |Bx  By  Bz|
为了计算这个行列式,我们遵循如下准则:
     Cx = AyBz - AzBy;  Cy = AzBx - AxBz;  Cz = AxBy - AyBx
或者 Ci = AjBk - AkBj                          i ≠ j ≠ k

图2:矢量A和B(夹角为θ)的叉乘,从而得到正交的矢量C。

4. 坐标变换 待补
 楼主| 发表于 2009-12-31 21:20:19 | 显示全部楼层

(原文件名:有这个多好!(不是指人).JPG)
 楼主| 发表于 2010-1-26 22:00:13 | 显示全部楼层
电平标准也和以前大不一样了。网上摘了一点。

                常用电平标准
  现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等,还有一些速度比
较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。


TTL:Transistor-Transistor Logic 三极管结构。
Vcc:5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。
因为2.4V与5V之间还有很大空闲,对改善噪声容限并没什么好处,又会白白增大系统功耗,还会影响速度。
所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。

LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。
3.3V LVTTL:
Vcc:3.3V;VOH>=2.4V;VOL<=0.4V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。
2.5V LVTTL:
Vcc:2.5V;VOH>=2.0V;VOL<=0.2V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。
更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片,使用时查看芯片手册就OK了。

TTL使用注意:TTL电平一般过冲都会比较严重,可以在始端串22欧或33欧电阻;
TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。

CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。
Vcc:5V;VOH>=4.45V;VOL<=0.5V;VIH>=3.5V;VIL<=1.5V。
相对TTL有了更大的噪声容限,输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL,出现了LVCMOS,可以与3.3V
的LVTTL直接相互驱动。
3.3V LVCMOS:
Vcc:3.3V;VOH>=3.2V;VOL<=0.1V;VIH>=2.0V;VIL<=0.7V。
2.5V LVCMOS:
Vcc:2.5V;VOH>=2V;VOL<=0.1V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。
  CMOS使用注意:CMOS结构内部寄生有可控硅结构,当输入或输入管脚高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)时,
电流足够大的话,可能引起闩锁效应,导致芯片的烧毁。

ECL:Emitter Coupled Logic 发射极耦合逻辑电路(差分结构)
Vcc=0V;Vee:-5.2V;VOH=-0.88V;VOL=-1.72V;VIH=-1.24V;VIL=-1.36V。
速度快,驱动能力强,噪声小,很容易达到几百M的应用。但是功耗大,需要负电源。
为简化电源,出现了PECL(ECL结构,改用正电压供电)和LVPECL。

PECL:Pseudo/Positive ECL
Vcc=5V;VOH=4.12V;VOL=3.28V;VIH=3.78V;VIL=3.64V

LVPELC:Low Voltage PECL
Vcc=3.3V;VOH=2.42V;VOL=1.58V;VIH=2.06V;VIL=1.94V
ECL、PECL、LVPECL使用注意:不同电平不能直接驱动。中间可用交流耦合、电阻网络或专用芯片进行转换。
以上三种均为射随输出结构,必须有电阻拉到一个直流偏置电压。(如多用于时钟的LVPECL:直流匹配时用
130欧上拉,同时用82欧下拉;交流匹配时用82欧上拉,同时用130欧下拉。
但两种方式工作后直流电平都在1.95V左右。)
前面的电平标准摆幅都比较大,为降低电磁辐射,同时提高开关速度又推出LVDS电平标准。

LVDS:Low Voltage Differential Signaling
差分对输入输出,内部有一个恒流源3.5-4mA,在差分线上改变方向来表示0和1。
通过外部的100欧匹配电阻(并在差分线上靠近接收端)转换为±350mV的差分电平。
LVDS使用注意:可以达到600M以上,PCB要求较高,差分线要求严格等长,差最好不超过10mil(0.25mm)。
100欧电阻离接收端距离不能超过500mil,最好控制在300mil以内。

  下面的电平用的可能不是很多,篇幅关系,只简单做一下介绍。
CML:是内部做好匹配的一种电路,不需再进行匹配。三极管结构,也是差分线,速度能达到3G以上。只能
点对点传输。
GTL:类似CMOS的一种结构,输入为比较器结构,比较器一端接参考电平,另一端接输入信号。1.2V电源供
电。
Vcc=1.2V;VOH>=1.1V;VOL<=0.4V;VIH>=0.85V;VIL<=0.75V
PGTL/GTL+:
Vcc=1.5V;VOH>=1.4V;VOL<=0.46V;VIH>=1.2V;VIL<=0.8V
HSTL是主要用于QDR存储器的一种电平标准:一般有V&not;CCIO=1.8V和V&not;&not;CCIO=1.5V。和上面的
GTL相似,输入为输入为比较器结构,比较器一端接参考电平(VCCIO/2),另一端接输入信号。对参考电平
要求比较高(1%精度)。
SSTL主要用于DDR存储器。和HSTL基本相同。V&not;&not;CCIO=2.5V,输入为输入为比较器结构,比较器一
端接参考电平1.25V,另一端接输入信号。对参考电平要求比较高(1%精度)。
HSTL和SSTL大多用在300M以下。

RS232和RS485基本和大家比较熟了,只简单提一下:
RS232采用±12-15V供电,我们电脑后面的串口即为RS232标准。+12V表示0,-12V表示1。可以用MAX3232
等专用芯片转换,也可以用两个三极管加一些外围电路进行反相和电压匹配。
RS485是一种差分结构,相对RS232有更高的抗干扰能力。传输距离可以达到上千米。
发表于 2010-6-6 09:45:07 | 显示全部楼层
问候前辈,近来一切都好?!
有许多磁悬浮的问题要请教,不知大师的联系方式?
 楼主| 发表于 2011-10-19 10:42:23 | 显示全部楼层
居然一年多没来自娱自乐了.
买了个T12调温烙铁头,T12-BL B+  http://item.taobao.com/item.htm?id=10144979494  11元
低压的,据说里面有个热电偶串着.有意思.要复习热电偶了.
这是老板给的.sch 对于搞清楚T12-BL调温烙铁头是什么玩意儿可能有好处.

(原文件名:P_SCH T12调温烙铁控制板.JPG)

(原文件名:这个手柄要八块五!.jpg)

(原文件名:里面的芯要11元.jpg)
网上查的"热电偶分度表"
点击此处下载 ourdev_686286LTVYXZ.txt(文件大小:12K) (原文件名:热电偶热电阻分度表.txt)
发表于 2011-10-19 11:38:15 | 显示全部楼层
向前辈问好
发表于 2011-10-19 12:15:23 | 显示全部楼层
向前辈问好
 楼主| 发表于 2011-10-20 09:18:58 | 显示全部楼层

(原文件名:P_SCH T12调温烙铁控制板分析.jpg)
发表于 2011-10-30 22:02:17 | 显示全部楼层
前辈干劲十足啊
发表于 2011-10-30 22:27:54 | 显示全部楼层
请问LZ,T12中所使用的热电偶是什么类型的,可有其分度表?
 楼主| 发表于 2011-11-6 08:25:46 | 显示全部楼层
请感兴趣的朋友在"■老头的专用电纸的回帖 对专用电纸内容的讨论,可在此进行."中回帖. 多有不便,请原谅.
今天,点击过万.谢谢大家关心.
最近,对太阳能感兴趣了,充电器是个重要环节.
由于自制低压大电流的太阳能组件,各个方面追求效率,麻烦还真不少.


(原文件名:我的充电器-6个问题.jpg)
发表于 2014-9-11 18:47:56 | 显示全部楼层
老前辈,很崇拜您
发表于 2014-9-11 19:05:00 | 显示全部楼层
看看 。。。
发表于 2015-10-10 10:37:43 | 显示全部楼层
崇拜您!
发表于 2015-10-10 11:57:10 | 显示全部楼层
mark,有空好好读下!
发表于 2015-11-28 22:06:03 | 显示全部楼层
好贴,0基础该如何下手呢
发表于 2015-11-29 03:10:42 来自手机 | 显示全部楼层
elder60好长时间没有露脸了。祝一切安好。
发表于 2015-12-1 22:29:04 | 显示全部楼层
我也祝elder60一切安好。
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