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楼主 |
发表于 2011-2-3 14:50:53
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回复【楼主位】zgq800712 SEED
这个是sram的手册，pdf格式。
点击此处下载 (原文件名:61-64wv5128axx-bxx.pdf)
symbol parameter -10 单位：ns
min max
twc write cycle time 10 -
tsce /ce to write end 8 -
taw address setup time to write end 8 -
tha ......
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回复【3楼】h2feo4 无机酸
回复【楼主位】zgq800712 seed
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data undefined 就是不知道之前的数据是什么，也不用管之前的数据是什么
如果上一个周期是读，数据总线上就是上一个读出的数据
如果上一个周期是写，数据总线上就是上一个写入的数据
如果上一个周期是空闲，就是其它数据……
data valid 就是有效的数据
你给的图是写入的时序图，data valid 就是将要写入的数据
简单描述一下操作过程：
第一步，你要告诉sram，你想在下一个周期进行写入，即使能ce和we，并告诉sram目的地址
第二步，sram得到了你的写入请求，但数据总线可能正在被sram占用（例如上一个周期是读），故sram需要释放对数据总线的占用，释放动作所占用的时间就是t-hzw......
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感谢楼上2位。现在知道了，送出地址，把WE拉低，拉低后不是马上就能写数据到sram里面的，WE拉低后经过 tHZWE 时间后 数据口会变成高阻态，这个时候送要写入对应地址的数据，然后把WE拉高就写入进去了。WE从低到高写入的数据要满足建立保持时间。也就是图上的tSD,tHD。
那再问2位个问题 ： 那就是说要连续写入数据到sram里面去 不是我原来理解的WE一致拉低就可以写了。而是WE拉低后，等tHZWE送要写的数据，然后拉高WE就写进去了，然后在再写其他的数据要把从上个写sram拉高的WE用拉低通知sram要写入数据了。就是说写入sram WE要拉低在拉高，在拉低在拉高 ,...,...
读sram 手册上就是说吧WE一直拉高送出地址信号10ns后数据口上的数据就是稳定的了。而写入要吧WE拉低又拉高，拉高后数据写入到sram里面去了，同时WE拉高了，就是进入到读数据阶段了，你还要写就是把WE在拉低让IO口变成高阻态再写入进去。看上去写入步骤要多一步，这个就是WE拉高进入读状态，你要把WE在拉低让IO口变成高阻态，在拉高就写入诗句了。速度不知道有没有什么影响。
我在把3楼说到的OE看有什么影响。 |
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发表于 2011-2-2 17:43:50
