求教MOS管驱动时发热问题

cityfuture · 发表于 2014-6-9 05:57:12

本帖最后由 cityfuture 于 2014-6-9 15:09 编辑

电池接一个12V电机后接Nmos管，用的是IRFP2907 75v 170A to247封装，按图中方式接函数发生器测试，1khz %99占空比的控制的时候不热，但%70的时候剧烈发热，测试Nmos分压有8V左右，为何
电机空载是12V2A,带载的时候12V 30A，Nmos分压过高的情况在空载带载的时候都会发生，为何？

Claude · 发表于 2014-6-9 06:34:43

占空比越小越热记住MOS是有内阻的到不了100度没问题

cityfuture · 发表于 2014-6-9 07:47:55

buck 发表于 2014-6-9 06:43
函数发生器驱动电压可能低了
续流二极管也要接

函数发生器输出20vpp，测试的为10v，达到了vgs要求了的，续流二极管接在哪?

szxszx · 发表于 2014-6-9 07:56:19

最好提高Vgs到12V以上；
选低内阻的MOS，降低导通损耗；
驱动波形要陡直，降低开关损耗。

hyghyg1234 · 发表于 2014-6-9 08:47:53

MOS发热很正常，要想热度小找内阻小的封装大的。

cityfuture · 发表于 2014-6-9 12:13:16

szxszx 发表于 2014-6-9 07:56
最好提高Vgs到12V以上；
选低内阻的MOS，降低导通损耗；
驱动波形要陡直，降低开关损耗。 ...

vgs 5v的时候就可导通 100A的电流了，irfp2907内阻是 4.5mΩ，哪种比这个更低些？函数发生器用的是 ATF40D 如何调上升，下降时间，好像没有这个功能

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