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求助!FOC,调试过程驱动管容易烧坏

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出0入46汤圆

发表于 2015-1-14 20:55:14 | 显示全部楼层 |阅读模式
    本人电机控制方面是新手,最近刚上手学习FOC,做了一块板子,板子一部分的原理图如下:
   
   如原理图所示,驱动管使用的是FDC6330和FDC637,淘宝上买的芯片。

     驱动代码主要参数,PWM为中间对齐模式,频率为14400Hz,定时器的死区时间为1200ns。

    问题来了:代码里面先让电机角度对齐,然后实时读取电机电角度,给固定的Vd、Vq,利用反Park变换求得Va、Vb,然后就是SVPWM,电机转起来了,但是转动不到30s就停转了,检查发现一个6330烧了。
                  
                  开始我以为是电流过大的原因,做两个措施进行保护:1)减小Vd、Vq;2)直接判别相电流Iu、Iv,如果超过某个设定值,就进行保护。结果,电机转速果然变慢了,但是同样,转动不到10多秒,
    管子还是烧了……最近管子烧了不少啊,淘宝6330价格1.2元/片、637 3.2元/片

                既然已经设置了死区时间,运行电流貌似也没有超大,为什么会烧管子?头疼了好几天,不知道问题在哪里,请高手们来指点!

               另外需要补充的是,我在母线上焊上10欧的电阻(原来是0欧),如下图所示:
              

              有限流电阻后,管子不会烧了,但是电机扭力好像不够了……郁闷


              大家懂的都来支持兄弟一把,感激不尽!

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阿莫论坛20周年了!感谢大家的支持与爱护!!

一只鸟敢站在脆弱的枝条上歇脚,它依仗的不是枝条不会断,而是自己有翅膀,会飞。

出0入46汤圆

 楼主| 发表于 2015-1-14 21:18:19 | 显示全部楼层
@托马斯小火车,@Ticl4,@mandylion2008

出0入0汤圆

发表于 2015-1-14 21:47:59 | 显示全部楼层
看不懂Q1B是咋画的,所以就不多说了。

出0入0汤圆

发表于 2015-1-14 21:54:02 | 显示全部楼层
应该是上桥关断过慢,因为上下的开关只有他是靠1k关断,其余3个状态转换都是推挽

出0入46汤圆

 楼主| 发表于 2015-1-14 21:54:02 | 显示全部楼层
cock 发表于 2015-1-14 21:47
看不懂Q1B是咋画的,所以就不多说了。

Q1B和Q1A就是6330,这是一个芯片,可以理解为给高点拼,管子就导通,637也是一样,给高电平导通

出0入46汤圆

 楼主| 发表于 2015-1-14 21:56:01 | 显示全部楼层
Oliver 发表于 2015-1-14 21:54
应该是上桥关断过慢,因为上下的开关只有他是靠1k关断,其余3个状态转换都是推挽 ...

怎么改进?兄弟是新手(不谦虚),请指教

出0入0汤圆

发表于 2015-1-14 22:02:31 | 显示全部楼层
对哦,你这个能转吗?那么大错误

出0入46汤圆

 楼主| 发表于 2015-1-14 22:03:31 | 显示全部楼层
Oliver 发表于 2015-1-14 22:02
对哦,你这个能转吗?那么大错误

什么错误?

出0入46汤圆

 楼主| 发表于 2015-1-14 22:07:41 | 显示全部楼层
Oliver 发表于 2015-1-14 22:02
对哦,你这个能转吗?那么大错误

是的,原来原理图设计有错误的,我已经通过跳线换过来了,电机是可以转的,修正的驱动管电路如下:

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出0入46汤圆

 楼主| 发表于 2015-1-14 22:21:32 | 显示全部楼层
是我的疏忽,刚才忘记说明了,一开始的原理图设计有错,只能在PCB修改、上飞线,飞线后的PCB板子是能够转的,第二版的PCB还没有开,修正后的驱动管部分原理图如下:

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出0入0汤圆

发表于 2015-1-14 22:46:39 | 显示全部楼层
上桥1K电阻太大,导致上桥Q1A关断太慢了。还有死区时间可以加大一些,改为2-3us. MOS管GS之间最好并联个1nF的小电容

出0入0汤圆

发表于 2015-1-14 23:00:57 | 显示全部楼层
楼上已经回答了,尽量做推挽的

出0入0汤圆

发表于 2015-1-15 02:13:32 | 显示全部楼层
CPU输出高电平是5V,12V-5V=7V,就算7V被两只PMOS管平分,每只也有3.5V,在这电压下MOS管已经开始处于导通状态,所以发热严重。
如果楼主不要装散热器,用手摸着管子,就能深切地体会到。

出20入22汤圆

发表于 2015-1-15 08:36:48 | 显示全部楼层
楼主的驱动电路哪来的?如果是芯片就画个芯片,如果就是用的MOS,这个图问题太多了

出0入0汤圆

发表于 2015-1-15 08:45:21 | 显示全部楼层
硬件问题实在太多!不烧才怪

出0入0汤圆

发表于 2015-1-15 11:42:52 来自手机 | 显示全部楼层
手机貌似不能看图

出0入46汤圆

 楼主| 发表于 2015-1-15 11:47:23 | 显示全部楼层
gaoqiu88 发表于 2015-1-14 22:46
上桥1K电阻太大,导致上桥Q1A关断太慢了。还有死区时间可以加大一些,改为2-3us. MOS管GS之间最好并联个1nF ...

MOS管GS之间最好并联个1nF,电平的陡峭性是不是由于电容充电/放电会变差?

出0入0汤圆

发表于 2015-1-15 13:41:21 | 显示全部楼层
加电容可以滤除毛刺。

出0入0汤圆

发表于 2015-1-16 12:07:14 | 显示全部楼层
感觉1K电阻大了点,但是得把630 637 的开启时间搞清楚,另外上桥的开启时间应该是两个630的,你看看死区能够不

出0入46汤圆

 楼主| 发表于 2015-1-18 22:35:31 | 显示全部楼层
托马斯小火车 发表于 2015-1-16 12:07
感觉1K电阻大了点,但是得把630 637 的开启时间搞清楚,另外上桥的开启时间应该是两个630的,你看看死区能 ...

谢谢,已作调整,不烧管子了

出0入46汤圆

 楼主| 发表于 2015-1-18 22:36:20 | 显示全部楼层
gaoqiu88 发表于 2015-1-15 13:41
加电容可以滤除毛刺。

添加电容后,脉冲的上升和下降时间都变差了

出0入0汤圆

发表于 2015-1-19 12:16:23 来自手机 | 显示全部楼层
加电容误导人啊

出0入4汤圆

发表于 2015-1-19 12:28:45 | 显示全部楼层
应该是上桥关断过慢,因为上下的开关只有他是靠1k关断,其余3个状态转换都是推挽.这是对的!

出0入0汤圆

发表于 2015-1-19 15:37:40 | 显示全部楼层
bjj9217 发表于 2015-1-18 22:36
添加电容后,脉冲的上升和下降时间都变差了

添加电容后,驱动电阻适当减小一些,要根据驱动波形调整的。我搞大功率驱动也有好几年了,给你些经验参考,不能别人叫你调什么你就调什么,要结合实际情况。

出0入46汤圆

 楼主| 发表于 2015-1-19 16:46:10 | 显示全部楼层
gaoqiu88 发表于 2015-1-19 15:37
添加电容后,驱动电阻适当减小一些,要根据驱动波形调整的。我搞大功率驱动也有好几年了,给你些经验参考 ...

好的,谢谢!

出0入0汤圆

发表于 2015-1-19 17:15:21 | 显示全部楼层
gaoqiu88 发表于 2015-1-19 15:37
添加电容后,驱动电阻适当减小一些,要根据驱动波形调整的。我搞大功率驱动也有好几年了,给你些经验参考 ...


我没有做过电源,我说一下我的理解。

场管本身的结电容都很大,所以为了快速导通 都是功率推动高或低。为的就是快速充电和放电。

如果有干扰应考虑改进走线和位置布局,并电容不是好的办法。

不知道大家怎么看?

出0入0汤圆

发表于 2015-3-7 16:55:21 | 显示全部楼层
楼主是想省钱吗? 还是闭门造车,大家都看到了,上桥臂有问题,还不说死区问题,过流问题

出0入0汤圆

发表于 2015-3-7 19:49:10 | 显示全部楼层
进来学习学习

出0入0汤圆

发表于 2015-3-8 20:54:10 | 显示全部楼层
这个驱动确实有问题,有示波器一量就可以看到了。上桥驱动用电阻的话你不做互补PWM是可以的,但带死区就麻烦了,关断时间长,上下桥有直通现象,肯定是要烧的。

出0入0汤圆

发表于 2015-3-9 10:50:56 | 显示全部楼层
我的也烧了,但是是电机堵转的时候,我也没想太明白,速度慢点,怎么会堵转了,开始都工作好好的,我去调速,加了启动和停止,还没调就。。。我还用的IR2101 也是加了死区的,前面都调好了。

出0入0汤圆

发表于 2015-3-9 11:19:15 | 显示全部楼层
本帖最后由 wind2100 于 2015-3-10 08:38 编辑

也不知道 是不是我打开了
#define Enable_AH()   TIM_CCxCmd( TIM1,TIM_Channel_1,TIM_CCx_Enable)

#define Enable_AL()   TIM_CCxNCmd(TIM1,TIM_Channel_1,TIM_CCxN_Enable)

是不是影响了死区, 下次我测试OK 波形再上了,没想到。。。 前面测试没发现问题,这次大胆了。

昨天晚上测试发现,果然是这语句 害我烧了MOS  因为程序中出错了,不断的去允许,导至波形出现毛刺,死区都出错了,所以。。。这是他们手册里面没讲的,估计在ERROR里面看有没有。

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