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脉冲变压器驱动高压全桥MOS

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出0入0汤圆

发表于 2015-12-9 16:55:50 | 显示全部楼层 |阅读模式
我想用脉冲变压器来驱动4个全桥MOS;高压母线电压最高600V,我选用的MOS是c2m016012,全桥开关频率在100K--3MHz之间,全桥导通瞬间的脉冲电流可达20A,全桥电路示意图如下:


请教大师,帮我分析下,这种方法可行吗?
担心的问题是:(1)上下桥MOS管死区太小没法控制,烧管子(这个问题其实可以用四个分离的脉冲变压器解决)。
                       (2)脉冲变压器的输出电流有限,能不能驱动c2m016012;
                       (3)有带宽到3M的脉冲变压器吗?


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出2040入83汤圆

发表于 2015-12-9 17:19:42 | 显示全部楼层
600v, 3MHz, 我对楼主的敬仰有如涛涛江水绵绵不绝

出2040入83汤圆

发表于 2015-12-9 17:24:20 | 显示全部楼层
有没有3MHz的脉冲变压器? 有! 30M的都有, 不过30倍的频率差, 不大好弄

出0入143汤圆

发表于 2015-12-9 17:56:33 | 显示全部楼层
变频电源用的这种方式,只见过400HZ 还有1K 的

出0入0汤圆

发表于 2015-12-9 18:27:14 | 显示全部楼层
600V 3Mhz 这开关损耗能不炸管?

出0入0汤圆

发表于 2015-12-9 19:14:38 | 显示全部楼层
无极灯有工作这么高频率的

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2015-12-9 19:45:15 | 显示全部楼层
用 的是什么方案,也是脉冲变压器吗?

出20入22汤圆

发表于 2015-12-9 20:53:45 | 显示全部楼层
楼主的第一个问题,应该是用一个变压器才好避免死区直通

出0入0汤圆

发表于 2015-12-9 21:50:13 | 显示全部楼层
MCU的开关信号,没有驱动脉冲变压器的能力。

出500入0汤圆

发表于 2015-12-9 22:13:08 | 显示全部楼层
变压器不能磁复位

出0入0汤圆

发表于 2015-12-10 05:55:53 来自手机 | 显示全部楼层
变压器好猛,高压mos好猛,单片机的驱动能力好猛

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2015-12-10 08:37:16 | 显示全部楼层
输入驱动信号不是单片机给的,做了电流放大处理来增加带载能力

出0入0汤圆

发表于 2015-12-14 08:52:45 | 显示全部楼层
磁恢复,楼主

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2015-12-14 20:24:05 | 显示全部楼层
非常感谢,能帮我我详细说下是什么意识吗?

出0入0汤圆

发表于 2015-12-17 21:18:15 | 显示全部楼层
fgws031006 发表于 2015-12-14 20:24
非常感谢,能帮我我详细说下是什么意识吗?

可以选择磁隔离器 8MHZ方波脉冲输入,输出还是标准的方波。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2015-12-18 08:54:58 | 显示全部楼层
磁隔离器类似ADUM1410,但这需要隔离电源供电,会带入噪声!

出10入23汤圆

发表于 2015-12-18 09:12:48 | 显示全部楼层
fgws031006 发表于 2015-12-14 20:24
非常感谢,能帮我我详细说下是什么意识吗?

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出10入23汤圆

发表于 2015-12-18 09:14:15 | 显示全部楼层
电容选uf级,二极管选肖特基,变压器漏感要小

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2015-12-18 09:33:11 | 显示全部楼层

请教几个问题:(1)这种隔离输出端能驱动大功率MOS管吗?
                        (2)关闭MOS时候,延迟有多大?

谢谢!

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出10入23汤圆

发表于 2015-12-18 09:44:50 来自手机 | 显示全部楼层
能驱动大功率mos,注意变压器漏感可能损坏mos,看栅极波形,如果有尖峰,需要处理

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2015-12-18 09:52:55 | 显示全部楼层
好的,谢谢,这种变压器用脉冲变压器可以吗?

出10入23汤圆

发表于 2015-12-18 09:54:51 来自手机 | 显示全部楼层
搭个看看就知了

出0入0汤圆

发表于 2015-12-21 00:33:22 | 显示全部楼层
(1)上下桥MOS管死区太小没法控制,烧管子(这个问题其实可以用四个分离的脉冲变压器解决)。
我用过脉冲 变压器,这种驱动方式虽然简单,有负压,但是,在死区时间的会震荡(MOS关闭的时候),而且你是10KHZ到3M,这个就更不好做了,脉冲变压器使用的频率没有这么宽,起码我知道的是,我300KHZ的脉冲变压器用30KZ上面就畸变了,或者是磁饱和导致,或者是激励不够导致。或许你可以使用隔离电源加TLP250等光耦或者IR21XX系列芯片做。
(2)脉冲变压器的输出电流有限,能不能驱动c2m016012;
是的,能,是能的,
(3)有带宽到3M的脉冲变压器吗?
这个还真没试验过。
另外,楼主,你19楼的电路,驱动变压器次级用电容的做法,会有炸鸡风险,

出0入4汤圆

发表于 2015-12-21 09:26:14 | 显示全部楼层
我做过200K 脉冲变压器驱动600V的管子,要做3M开关频率隔离驱动,一台机至少也得3W+

出0入14汤圆

发表于 2015-12-21 10:42:57 | 显示全部楼层
我900V的FQA9N90C,变压器驱动没问题,但开关频率只有40k左右

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2015-12-22 13:37:51 | 显示全部楼层
看来起来做,这东西!高压和频率永远是矛盾的参数!

出0入0汤圆

发表于 2023-4-12 19:49:33 | 显示全部楼层
sanjue 发表于 2015-12-21 00:33
(1)上下桥MOS管死区太小没法控制,烧管子(这个问题其实可以用四个分离的脉冲变压器解决)。
我用过脉冲  ...
(引用自23楼)

驱动光耦带宽有限,常用驱动光耦工作频率上限一般是40kHz

出0入0汤圆

发表于 2023-4-13 10:01:58 | 显示全部楼层
建议你用高速半桥驱动芯片吧,变压器不好搞,特别是不对称波形驱动,容易炸管

出0入8汤圆

发表于 2023-4-13 17:47:15 来自手机 | 显示全部楼层
上臂的每一个mos用一个隔离电源,和驱动管,驱动管前面加上整形电路还行,只用一个变压器不好弄
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