如何防止上下管同时导通，烧坏MOSFET

dingding618 · 发表于 2016-12-9 11:28:25

除了在PWM里面添加死区，如何在硬件上保护上下管同时导通损坏MOSFET。昨天添加了快熔，还是烧了12个MOSFET

mtswz.213 · 发表于 2016-12-9 11:29:39

驱动要有互锁，死区也是很重要的，过流保护有没有？过流关闭驱动。

dingding618 · 发表于 2016-12-9 11:32:21

mtswz.213 发表于 2016-12-9 11:29
驱动要有互锁，死区也是很重要的，过流保护有没有？过流关闭驱动。

没有过流保护，过流保护是不是一般用比较器送外部中断，比较快？

PowerAnts · 发表于 2016-12-9 11:34:03

过流保护是制标不治本, 天地通主要还是靠死区控制

powerplj · 发表于 2016-12-9 11:35:23

保险丝预防，另加硬件过流保护

add00 · 发表于 2016-12-9 11:43:55

死区控制和驱动信号互锁才是正道，过流保护和保险丝不好控制，要么超荷误保护，要么MOS废了保护了保险丝

河图洛书 · 发表于 2016-12-9 13:57:28

add00 发表于 2016-12-9 11:43
死区控制和驱动信号互锁才是正道，过流保护和保险丝不好控制，要么超荷误保护，要么MOS废了保护了保险丝 ...

死区控制和驱动信号互锁，这个互锁可以给讲一下原理，和大概的思路吗，最后可以举个例子，谢了。

wanggoals · 发表于 2016-12-9 14:35:02

针对这个应用的pic单片机本身就可以配置为硬件互锁模式的吧，有做BLDC的说说

ackyee · 发表于 2016-12-9 14:41:01

有一个帖子上写，可以加一个加速电容

dingding618 · 发表于 2016-12-9 15:18:29

add00 发表于 2016-12-9 11:43
死区控制和驱动信号互锁才是正道，过流保护和保险丝不好控制，要么超荷误保护，要么MOS废了保护了保险丝 ...

嗯，昨晚就用了保险丝，没保护的了，废了12个

dingding618 · 发表于 2016-12-9 15:19:59

wanggoals 发表于 2016-12-9 14:35
针对这个应用的pic单片机本身就可以配置为硬件互锁模式的吧，有做BLDC的说说 ...

第一次用PIC的还不熟悉，等下去找找。

dingding618 · 发表于 2016-12-9 15:21:04

ackyee 发表于 2016-12-9 14:41
有一个帖子上写，可以加一个加速电容

我好像在哪也见到过，加电容的说法。

dspic · 发表于 2016-12-9 16:28:40

增加检测管压降电路

Xiyuhexuan · 发表于 2016-12-9 16:29:39

硬件逻辑上互锁！

add00 · 发表于 2016-12-9 16:33:47

河图洛书发表于 2016-12-9 13:57
死区控制和驱动信号互锁，这个互锁可以给讲一下原理，和大概的思路吗，最后可以举个例子，谢了。 ...

行业不一样，我们是用H桥给正负激励供电，驱动信号就1路，另外一路用门电路延时翻转产生；
通过逻辑门冗余，除非3片与非门一起损坏，否则不会天地通的，我们仪器8年没有天地通烧mos了；
现在出了带死区控制的互补输出芯片都没敢动，毕竟稳定才是重点。
只能给这么个思路，电机控制的话频率高，需要自己测试了。

河图洛书 · 发表于 2016-12-9 16:47:50

add00 发表于 2016-12-9 16:33
行业不一样，我们是用H桥给正负激励供电，驱动信号就1路，另外一路用门电路延时翻转产生；
通过逻辑门冗 ...

非常感谢你的经验方法，可是有个地方不明白？
1、门电路延时翻转产生是利用非门本身的延时还是要在串如延时芯片啊？
2、通过逻辑门冗余，除非3片与非门一起损坏为什么是3片与非门还有逻辑门冗余，不是很明白，可以麻烦说下怎么连接吗？
3、在出了带死区控制的互补输出芯片都没敢动这个是因为他内部不一定是硬件延时的原因吗，不可靠？

add00 · 发表于 2016-12-9 16:53:18

1.用的是 RC延时老工程师的杰作；
2.都是与非门，输入并联就是反向器了，逻辑组合保证是工作状态，关断状态；
3.稳定性太好，没人想过要换掉；

add00 · 发表于 2016-12-9 16:53:45

河图洛书发表于 2016-12-9 16:47
非常感谢你的经验方法，可是有个地方不明白？
1、门电路延时翻转产生是利用非门本身的延时还是要在串 ...

1.用的是 RC延时老工程师的杰作；
2.都是与非门，输入并联就是反向器了，逻辑组合保证是工作状态，关断状态；
3.稳定性太好，没人想过要换掉；

cctv02 · 发表于 2016-12-9 17:12:57

不想在程序上搞就用IR2104自带死区好，缺点就是贵

PowerAnts · 发表于 2016-12-9 17:30:50

河图洛书发表于 2016-12-9 16:47
非常感谢你的经验方法，可是有个地方不明白？
1、门电路延时翻转产生是利用非门本身的延时还是要在串 ...

好办法

wye11083 · 发表于 2016-12-9 18:33:16

低电压我是直接串俩2r2的电阻驱动后级，后级接俩电阻两端，这样前级俩管都导通时后面俩管都关断。当然限于p+n对管。全n比较麻烦

xwkm · 发表于 2016-12-17 23:48:47

过流保护就在下管串入采样电阻，然后用运放检测电流，大于阈值就触发可控硅强制把H/L驱动置0。

硬件死区就用几个NAND门做延时就可以了。不过用自带死区的驱动芯片更方便。

如何防止上下管同时导通，烧坏MOSFET

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