电机驱动MOS异常烧毁问题有效解决 2000以上感谢费

xiepan2010 · 发表于 2017-12-4 17:35:20

本帖最后由 xiepan2010 于 2017-12-5 09:15 编辑

最近做一块电机驱动板，直流有刷电机。出现mos异常烧毁的情况，找了几天问题了  始终没解决

苦于身边没有硬件高手，发上来论坛的专家们帮忙看看我可带着板子登门拜访费用可面议

烧毁的现象是一个桥臂上下桥的mos管GDS全部直通烧毁之前没有任何发热迹象，测试的时候电流极低  2A左右

测试电压60v  电源限流2A mos管为IRF4110 驱动芯片为IR2184 自带死区控制逻辑为CD4001处理  单片机仅仅只控制转动方向和输出pwm 即使单片机死机  也不会出现上下桥直通

并且发现个奇怪的现象几路的元器件都一样  布线都一样但是测试的时候  几乎都是烧的最左边的
（黄圈部分）

以为是地线回路太长导致的，尝试飞地线
就是这样（中间红笔加的地方）情况依旧

这是原理图

这是局部布线细节

这是测量的栅极对地波形  上下桥


这是测量的VDS波形

gyzzg2030 · 发表于 2017-12-4 19:09:54

本帖最后由 gyzzg2030 于 2017-12-4 19:10 编辑

是的，GS波形的右边的部分（红圈）死区没有了，如果都是上下管对地的波形，就不好说了，要差分探头测试两路波形才能说明问题

jxnclff · 发表于 2017-12-4 19:15:55

本帖最后由 jxnclff 于 2017-12-4 19:32 编辑

楼主要注意电机反电动势，MOS管耐压要高，电机正向停止后，才能开启反向

编辑原因：曾经用过的方法，比如，在关闭Q6时，不要关闭对角的Q？（PWM也行），限制反电动势到母线电压（可能会造成母线电压升高）这样的话，MOS耐压要求就低

xiepan2010 · 发表于 2017-12-4 19:18:50

gyzzg2030 发表于 2017-12-4 19:09
是的，GS波形的右边的部分（红圈）死区没有了，如果都是上下管对地的波形，就不好说了，要差分探头测试两路 ...

死区是有的，这个是对地波形，上管台阶处就已经关闭了的

xiepan2010 · 发表于 2017-12-4 19:19:44

jxnclff 发表于 2017-12-4 19:15
楼主要注意电机反电动势，MOS管耐压要高，电机正向停止后，才能开启反向

使用是电池供电，反电动势会被吸收到电池里面去，母线电压并没有升高

litop · 发表于 2017-12-4 21:30:52

控制正反转用，P,N , MOS管。

P P

N N
楼主全部用N了。

xiepan2010 · 发表于 2017-12-4 21:39:58

litop 发表于 2017-12-4 21:30
控制正反转用，P,N , MOS管。

P P

有自举

lixin91985 · 发表于 2017-12-4 21:46:24

帅哥。听我的。。将电机两个抽头中间加个继电器串一个0.5R 5W电阻（具体根据点击大小算）停下电机后，MOS全部关闭，将继电器闭合2S以上。

或者简单点，电机关的时候应该是先关上臂，然后两个下臂打开，等待1S以上，再反转。。电机有时候也是发电机，如果贸然反转，母线电压会被抬高1倍以上。

xiepan2010 · 发表于 2017-12-4 21:51:14

lixin91985 发表于 2017-12-4 21:46
帅哥。听我的。。将电机两个抽头中间加个继电器串一个0.5R 5W电阻（具体根据点击大小算）停下电机后，MOS ...

是电池供电，电压没有升高并且工况就是要来回的正反转切换，没法先停再转

koon · 发表于 2017-12-4 21:57:05

MOS内有没有续流二极管?

lixin91985 · 发表于 2017-12-4 21:57:38

突然发现这个原理图好熟悉。。

原来前不久发过帖子，现在还没解决？
当时大家提的意见，你一个都没修改啊。

sjx2012 · 发表于 2017-12-4 22:04:31

上下管逻辑电平切换的时候把使能脚关闭一下再切换试试吧！

xiepan2010 · 发表于 2017-12-4 22:24:15

lixin91985 发表于 2017-12-4 21:57
突然发现这个原理图好熟悉。。

原来前不久发过帖子，现在还没解决？

那次是屏幕花屏。那个解决了现在是有的烧mos

xiepan2010 · 发表于 2017-12-4 22:25:16

sjx2012 发表于 2017-12-4 22:04
上下管逻辑电平切换的时候把使能脚关闭一下再切换试试吧！

这样的目的是什么？留一段空闲区？

xiepan2010 · 发表于 2017-12-4 22:26:44

lixin91985 发表于 2017-12-4 21:57
突然发现这个原理图好熟悉。。

原来前不久发过帖子，现在还没解决？

改了的，你看现在的波形好多了没有尖峰了

skyxjh · 发表于 2017-12-5 09:03:43

加大自举电容，减小GS之间的电阻和电容试试

zhangjinzj · 发表于 2017-12-5 09:21:55

本帖最后由 zhangjinzj 于 2017-12-5 09:24 编辑

是不是都是集中在板边的那组，如果是，可能是C41电容失效。板边的MLCC电容容易失效。在设计上你的C41也是垂直于板边，，有失效的风险。

wind2100 · 发表于 2017-12-5 09:41:34

烧的原因只有二种 ,1. 电流过大 2. 电压过大
主要原因当然是功率过大而损.

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 10:08:24

wind2100 发表于 2017-12-5 09:41
烧的原因只有二种 ,1. 电流过大 2. 电压过大
主要原因当然是功率过大而损. ...

mos至少过30a没问题，现在3a就烧并且电流过大烧毁的现象应该是外观可见的，这个外观没有任何变化只是gds短路

jiulong855@.163 · 发表于 2017-12-5 11:26:46

竞争冒险问题吧，一个臂未完全关断的情况下另一个臂导通

xyx2012xyx · 发表于 2017-12-5 12:30:07

应该短路了，死区设置时间过小，不完全关断的时候另外一个管导通了，还有楼主都有什么测试设备，就示波器调起来比较麻烦吧

z123 · 发表于 2017-12-5 12:30:58

R56直通，所有g极下拉阻容去除

liwei_jlu · 发表于 2017-12-5 12:36:43

驱动有刷电机，一般是过压击穿。
电机两端并联104高耐压电容

huangmeilifan · 发表于 2017-12-5 12:47:16

要么是死区不够，要么是MOS耐压不够。不知这个管耐压多少，有反复真反转，建议MOS耐压至少是驱动电压3倍以上。

kdtcf · 发表于 2017-12-5 12:50:32

楼主，你MOS的GS加电容？是不是这个把管玩炸的

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 14:16:01

kdtcf 发表于 2017-12-5 12:50
楼主，你MOS的GS加电容？是不是这个把管玩炸的

不会，gs加电容顶多mos发热一点现在这个是没有任何发热迹象

su33691 · 发表于 2017-12-5 14:21:23

貌似用2014才用加速电容，2184的开关速度更快。

RAMILE · 发表于 2017-12-5 14:24:16

本帖最后由 RAMILE 于 2017-12-5 14:27 编辑

有可能是能耗刹车烧毁的，就是H桥上臂都导通的情况，这时候电机迅速停转，动能转化为强电流，瞬间烧毁MOS管

MOS管烧掉一个后，牵连另一个下桥烧毁

z123 · 发表于 2017-12-5 14:29:09

xiepan2010 发表于 2017-12-5 14:16
不会，gs加电容顶多mos发热一点现在这个是没有任何发热迹象

去除R61、R62~~

mosfet驱动芯片，不要想当然的给它加那么多上下拉，照着器件手册，裁剪下看看，芯片+4mosfet+g极振铃电阻，就行了~~

都烧成这样了，还不舍得去掉那些累赘试试~~哈哈

z123 · 发表于 2017-12-5 14:34:11

以前大学时候，机器人大赛，好像用过这个芯片，照着数据手册，裁剪试试~~~

plc_avr · 发表于 2017-12-5 14:44:22

如果楼主离无锡近，可以当面交流下，注意，并不要任何费用。
1、去掉C41 C44
2、C38改成47uf
3、限制PWM最大不要开到95%
4、最大的问题其实是没看到有硬件保护的电路！

zqbing · 发表于 2017-12-5 14:53:29

不知道你那边增加的R61 R62是什么意思，这两个电阻这样加感觉有问题；然后去掉GS并的电容；GS下拉并联改小一点或者不要；
还有2点：
1、你认为不是死区的问题，建议先把死区调大一倍再测试，看看是否很容易出现；
2、还有电池吸收尖峰电压，也不是那么明显的。电池对时间久的尖峰，过压几十/几百 ms级别的还有吸收效果，如果对us级别的尖峰，基本上没什么效果吧；

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 14:55:58

z123 发表于 2017-12-5 14:29
去除R61、R62~~

mosfet驱动芯片，不要想当然的给它加那么多上下拉，照着器件手册，裁剪下看看，芯片+4mo ...

去掉试过了的还是会烧

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 14:57:05

plc_avr 发表于 2017-12-5 14:44
如果楼主离无锡近，可以当面交流下，注意，并不要任何费用。
1、去掉C41 C44
2、C38改成47uf

很遗憾我在深圳

硬件保护电路怎么加？

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 15:26:45

zqbing 发表于 2017-12-5 14:53
不知道你那边增加的R61 R62是什么意思，这两个电阻这样加感觉有问题；然后去掉GS并的电容；GS下拉并联改小 ...

us级的尖峰就足以把mos打坏吗？都集中在最边上这个是什么原因

mtswz.213 · 发表于 2017-12-5 15:35:45

LZ，你有没有加吸收电容啊？要在靠近MOS管，母线上加上吸收电容

ordinary · 发表于 2017-12-5 15:36:13

不发热击穿，一定瞬间高压搞的。电机两端并电压合适的压敏管试试

mtswz.213 · 发表于 2017-12-5 15:37:17

就是金属膜电容，用个4.7uF的试试吧，还有啊，你要加电流采样啊，不然外部短路，你的MOS管必坏啊。

z123 · 发表于 2017-12-5 15:37:28

xiepan2010 发表于 2017-12-5 15:26
us级的尖峰就足以把mos打坏吗？都集中在最边上这个是什么原因

最边上，那个，是不是上臂？

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 15:50:59

mtswz.213 发表于 2017-12-5 15:35
LZ，你有没有加吸收电容啊？要在靠近MOS管，母线上加上吸收电容

母线上有电容啊 470uf 和104CBB

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 15:51:19

z123 发表于 2017-12-5 15:37
最边上，那个，是不是上臂？

黄圈里面那两个上下桥一起坏

z123 · 发表于 2017-12-5 15:56:41

xiepan2010 发表于 2017-12-5 15:51
黄圈里面那两个上下桥一起坏

那会不会买到假货啊？打磨的驱动芯片，或者打磨的mosfet？IRF的重灾区啊

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 15:57:47

z123 发表于 2017-12-5 15:56
那会不会买到假货啊？打磨的驱动芯片，或者打磨的mosfet？IRF的重灾区啊

这个不会从之前的板子也拆过来试过了并且即使是假货也不应该集中在最边上这两个

mkliop · 发表于 2017-12-5 16:09:22

本帖最后由 mkliop 于 2017-12-5 16:32 编辑

肯定是自举电容充电异常导致的

mkliop · 发表于 2017-12-5 16:15:39

楼主你把那四个管子栅极驱动波形都发上来让大伙儿瞧瞧看看是不是自举电容没时间充电

？你占空比管子导通时间是要减去死区时间的

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 16:15:53

mkliop 发表于 2017-12-5 16:09
你这个鸡儿电路根本就不能工作！调也白调你仔细分析一下工作原理！！！当占空比开到很大时候自举电容根本 ...

这个电路老版本一直用的这次是改了布局改了MCU 改了12v电源电路应该是正确的不然肯定全部都不能用

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 16:16:51

mkliop 发表于 2017-12-5 16:09
你这个鸡儿电路根本就不能工作！调也白调你仔细分析一下工作原理！！！当占空比开到很大时候自举电容根本 ...

最大占空比控制在了90% 是足够充电的现在情况是没有任何发热现象瞬间就烧

mkliop · 发表于 2017-12-5 16:31:16

另外楼主注意下电机换向或者反压会不会造成自举电容充电异常？

mkliop · 发表于 2017-12-5 16:39:43

本帖最后由 mkliop 于 2017-12-5 16:42 编辑

周期18.3, 90%占空比就是16.2 最大占空比低电平时间有2us IR芯片内部死区-500ns 电容充电时间还剩1.5us 再减去乱七八糟的延时 1.几us 够电容充电？自举电容内阻咋样呀？测过么？

mkliop · 发表于 2017-12-5 16:41:29

xiepan2010 发表于 2017-12-5 16:16
最大占空比控制在了90% 是足够充电的现在情况是没有任何发热现象瞬间就烧 ...

对呀瞬间就烧才对不信你可以试试专门接两个外部电源代替了你的自举电容

AAKKS · 发表于 2017-12-5 16:45:45

高手云集，解决没？

mkliop · 发表于 2017-12-5 16:48:57

用示波器监控下自举电容上的波形应该有收获

mkliop · 发表于 2017-12-5 16:59:36

看见了没

你这个电路自举电容0充到能完全打开管子的电压就算12V吧需要80us

还没算电容的内阻，分布电感影响啥的

你分析吧？是不是管子导通一次电容里的电就少点儿

你最大占空比只给它2us时间充电能供得上用？

mkliop · 发表于 2017-12-5 17:08:08

所以终极解决方案是降低PWM频率，用优质的自举电容，把该死的4.7欧姆电阻用0欧姆代替然后降低PWM占空比。

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 17:20:57

mkliop 发表于 2017-12-5 17:08
所以终极解决方案是降低PWM频率，用优质的自举电容，把该死的4.7欧姆电阻用0欧姆代替然后降低PWM占空比。 ...

这是最大占空比的时候电容对地电压供电44v

mkliop · 发表于 2017-12-5 17:50:01

电容上的电压16V？看看管子看看你用的管子栅漏耐压多少

mkliop · 发表于 2017-12-5 17:52:26

看你那个栅极波形就是自举电容引起的你降低下PWM频率试试

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 17:52:37

mkliop 发表于 2017-12-5 17:50
电容上的电压16V？看看管子看看你用的管子栅漏耐压多少

±20 看过上桥的VGS 波形挺好没有超

mkliop · 发表于 2017-12-5 18:00:45

可是你楼主位大的GD波形明明就是上桥驱动不良

yan_hua · 发表于 2017-12-5 18:02:31

根据分析，很有可能是反向电流把MOS烧了，我们公司是做TVS的原厂，我们公司有相关实验室（QTH：深圳），并且是免费开放的，楼主方便的话，可加下我企业QQ：3002880700

mkliop · 发表于 2017-12-5 18:02:32

你让它一直往一个方向转不要换向，再用示波器看自举电容波形看看是不是会慢慢往下降低。。。。

ddz123abcdef · 发表于 2017-12-5 18:03:39

断开Q8源极回路，串入一个功率5W/1欧姆左右（根据电压高低适当调整）的电阻试试。

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 18:06:19

yan_hua 发表于 2017-12-5 18:02
根据分析，很有可能是反向电流把MOS烧了，我们公司是做TVS的原厂，我们公司有相关实验室（QTH：深圳），并 ...

已经加了，你们提供技术支持吗

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 18:07:19

ddz123abcdef 发表于 2017-12-5 18:03
断开Q8源极回路，串入一个功率5W/1欧姆左右（根据电压高低适当调整）的电阻试试。 ...

这样的目的是什么？

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 18:07:50

mkliop 发表于 2017-12-5 18:02
你让它一直往一个方向转不要换向，再用示波器看自举电容波形看看是不是会慢慢往下降低。。。。 ...

没有降低的，刚刚的图就是一直转的

mkliop · 发表于 2017-12-5 18:12:44

楼主的电路正反转的时候只有半壁是工作在PWM开关状态，另一个桥壁工作在下管导通状态，所以转向切换时候自举电容电量肯定是满的，我现在是怀疑你的自举电容上的电量不充不到位，随着时间的推移电容上的电量一次比一次少最终导致上管驱动电路工作不正常

mkliop · 发表于 2017-12-5 18:15:51

反向电流也有可能，但是反向电流只会在死区时产生吧

mkliop · 发表于 2017-12-5 18:19:29

如果害怕反向电压加一个往电机两端加2200nf电容和33欧姆电阻串联电路试试

mkliop · 发表于 2017-12-5 18:26:00

xiepan2010 发表于 2017-12-5 18:07
这样的目的是什么？

限流，防止上下管瞬间导通时候烧毁

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 19:26:43

cocalli 发表于 2017-12-5 18:31
解决了，掏钱没

那个是后面发现是程序问题 us级延时被优化掉了

zqbing · 发表于 2017-12-5 20:14:41

xiepan2010 发表于 2017-12-5 15:26
us级的尖峰就足以把mos打坏吗？都集中在最边上这个是什么原因

us级别尖峰烧MOS很正常的，主要是看尖峰多高；另外，你说的很容易烧是什么意思？是否很容易复现？那两个位置的MOS坏了，你换新的之后，一转起来就又烧那两个的MOS？还是开始很正常，用着用着莫名其妙就烧了？真怀疑板子第一次意外烧毁，把驱动电阻或者其他器件损坏了，一直没有修好，才导致这么异常的问题；

zqbing · 发表于 2017-12-5 20:21:04

还有一疑问，是每个板子都会出现吗，是呈现概率性质，还是必然出现，还是说某种特定条件下才出现的呢？我们也曾经遇到过一直烧某特定位置的MOS管，后来发现和PCB制版工艺有关系（板分层，相邻驱动走线有阻抗了，还有板子某个位置叠层间距太小了）；不过看你的PCB是双层板，应该不像是PCB工艺制程问题；多方面考虑吧，只要能复现问题，就应该好处理；

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 21:41:19

cocalli 发表于 2017-12-5 21:17
是的，这个就是死区的问题，死区不一定是硬件，软件也是一个范畴。
这个还是归功到上面帖子里面不少网友 ...

首先感谢兄台提醒。
兄台请放心，解决了问题绝不会食言，上一个帖子里面是屏幕花屏问题，由于恰好用示波器看出电源尖峰问题一直纠结于电源滤波减小尖峰,减少pwm对信号的干扰以及地平面处理这几方面。
因为软件是直接从AVR里面移植过来的，所以当屏幕亮了也就没有再想过软件还会有问题。后面才偶然发现是us级延时没了，这个是在更改6050读取程序的时候发现的。、

解决问题后，我立即发帖说明了问题点以及解决方法，并且真诚的请回答过问题的坛友加我微信，组建群表示感谢。

明天要去楼上老兄的实验室去查找问题，届时解决了也会立即反馈上来

个人自诩具有豪爽耿直的重庆人优良品质这点认识的人都知道相信您也可以从我以往的回复和发帖内容看出来

请兄台放心我的人品  绝对高过我的技术

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 22:02:04

本帖最后由 xiepan2010 于 2017-12-5 22:04 编辑

cocalli 发表于 2017-12-5 21:47
一码是一码，一单是一单
你的问题解决了，就应该在这里寻找最佳的答案，除非真的一个就没有答对
看你说的 ...

老兄可能误会了
费用是指解决问题的费用，

就和明天这位一样  我带东西过去帮我解决  费用不够可按实际收费
或者是和之前一个兄弟一样  我快递板子过去帮我查找问题  以及解决办法
大家各说各的思路，我只能感谢提醒思路感谢帮助开阔了视野，可以请吃饭可以发红包感谢
真正为一个提醒支付费用我实在不知道支付给谁也不知道谁会收  之所以选择用微信红包方式感谢，一是表示谢意，二者也想借此机会结识一些朋友
上一次是大家被我误导了确实是没有直接说到根源的主要原因是大家都没看到实物我又很急  前后逻辑混乱
这点你也可以从我解决的时间点看出来验证问题是否解决只需要一分钟

mkliop · 发表于 2017-12-5 22:13:58

看PCB IR2184靠近VCC引脚没有看见退耦电容焊个104电容试试

mkliop · 发表于 2017-12-5 22:16:43

另外再看看出问题的IR2184芯片会不会发热我以前遇到过芯片发热后不稳定的我那是因为质量问题很奇葩很久才找到原因

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 22:21:47

cocalli 发表于 2017-12-5 22:13
你觉得这里发个帖子就有人能把问题解决了吗？好吧，如果你这样理解，就当我没说。大家也可以散了，洗洗睡 ...

绝无文字游戏之意啊你看我发帖里面都有说啊一开始就有说，我可以带着板子前往，费用可面议我不知道这样还有什么歧义么

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 22:28:38

cocalli 发表于 2017-12-5 22:13
你觉得这里发个帖子就有人能把问题解决了吗？好吧，如果你这样理解，就当我没说。大家也可以散了，洗洗睡 ...

我知道阿莫这里都很热情，我也注册几年了，当年还是给莫大本人发短信才换得一个邀请码，当时还没收费。因为本职工作是机械设计，所以虽然时间长但等级并不高。但是我懂规矩，技术咨询都不需要提费用，提了费用反而显得势利。

这里说费用的意思是因为我知道这个需要耗费时间来找问题点，需要占用工作时间或者休息时间。费用是误工费和感谢费。

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 22:38:06

cocalli 发表于 2017-12-5 22:13
你觉得这里发个帖子就有人能把问题解决了吗？好吧，如果你这样理解，就当我没说。大家也可以散了，洗洗睡 ...

刚刚回去看帖，恍然大悟原来就是你回复的死区哦栅极死区问题难怪你会说程序也是死区问题这个死区和程序的延时确实不是一个问题这个是软件优化导致的时序问题我还纳闷来着，怎么spi通讯也有个死区说法了

说实话，真不是一个问题

你如果觉得我在说假话刚好明天我带上板子去楼上那兄弟那，我让他测了回复你

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 22:41:11

cocalli 发表于 2017-12-5 22:13
你觉得这里发个帖子就有人能把问题解决了吗？好吧，如果你这样理解，就当我没说。大家也可以散了，洗洗睡 ...

兄弟我也不想让这个帖子变成了讨论道德与人品的帖子现在确实没这个心情

这样你给个账号或者微信或者支付宝要觉得怕泄露私信给我也行

你要有兴趣，等闲暇了可以与你详谈真诚与真实这两点我比较有体会

quzhanguang3 · 发表于 2017-12-5 22:43:16

你可能买到了假MOS

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 22:44:59

quzhanguang3 发表于 2017-12-5 22:43
你可能买到了假MOS

mos应该是真的，供应商没换，我剪开看过，是大晶圆旧版本一直用

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 22:45:25

quzhanguang3 发表于 2017-12-5 22:43
你可能买到了假MOS

供应商合作挺久，也很愉快，不可能会坑我

mkliop · 发表于 2017-12-5 22:53:54

楼主也是无奈，自己能解决的问题何必发上来呢，尤其是遇到这种看似一切都好但是影响稳定性的问题。导致这种问题的原因很多，有时候一个电容没有放好位置就会引起整个系统自激！发出来帖子了大家集思广益弄好了学点东西以后自己遇到这种问题多个解决方法。我就是做逆变器的有刷磁服电机也做过，这种IR驱动芯片用的太多了遇到的问题也千奇百怪，尤其是哪个自举电容和自举二极管质量稍微不好点就烧管子二极管导通的慢了也烧管子，电容容量不够了功率管欠激励进放大区了分分钟烧毁电源里有毛刺干扰了功率管过激励了也会导致GS极短路烧坏！

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 22:58:55

mkliop 发表于 2017-12-5 22:53
楼主也是无奈，自己能解决的问题何必发上来呢，尤其是遇到这种看似一切都好但是影响稳定性的问题。导致这种 ...

干扰和稳定性这个问题太复杂了，加上我这是做机械的，没什么仪器，示波器还是自己买的其实有了仪器也不知道该测哪里

和楼上的yan_hua 联系好了，他那仪器多，也专业，明天让他看看找到问题立即发上来

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 23:02:40

mkliop 发表于 2017-12-5 22:53
楼主也是无奈，自己能解决的问题何必发上来呢，尤其是遇到这种看似一切都好但是影响稳定性的问题。导致这种 ...

其实最想知道的是为什么都烧最左边的这个简直是完全晕了

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 23:07:18

cocalli 发表于 2017-12-5 23:05
你不用恍然大悟，你搞错了，我提出这个问题，绝对没有我提的问题是对是错能获取这点钱的意思，如果我在意 ...

依然感谢你的关注

谢谢

mkliop · 发表于 2017-12-5 23:19:57

xiepan2010 发表于 2017-12-5 23:02
其实最想知道的是为什么都烧最左边的这个简直是完全晕了

左边离电源最远还没有退欧电容。。。。猜的自举电容充电瞬间电流很大的也许会造成逻辑问题

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 23:32:18

mkliop 发表于 2017-12-5 23:19
左边离电源最远还没有退欧电容。。。。猜的自举电容充电瞬间电流很大的也许会造成逻辑问题 ...

电源入口在中间两边都差不多远电容布局也是对称的

mkliop · 发表于 2017-12-5 23:35:09

你看是不是每个周期上管导通时下管都有图中这个尖峰？如果有就是米勒效应造成的适当加大r52.r59两个电阻直到消除那个尖峰为止，那个尖峰不是啥好玩意儿现在不消除后患无穷

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 23:49:58

mkliop 发表于 2017-12-5 23:35
你看是不是每个周期上管导通时下管都有图中这个尖峰？如果有就是米勒效应造成的适当加大r52.r59两个电阻直 ...

这个不是另外一个mos打开带来得串扰吗？也可能是示波器不行，测量误差明天去那边再测看看

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 23:50:51

mkliop 发表于 2017-12-5 23:35
你看是不是每个周期上管导通时下管都有图中这个尖峰？如果有就是米勒效应造成的适当加大r52.r59两个电阻直 ...

我有点担心会不会是有什么尖峰我这个示波器看不到

xiepan2010 · 发表于 2017-12-5 23:51:25

mkliop 发表于 2017-12-5 23:35
你看是不是每个周期上管导通时下管都有图中这个尖峰？如果有就是米勒效应造成的适当加大r52.r59两个电阻直 ...

明天过去看看他们专业的是用什么示波器，我也照着买一个

Elex · 发表于 2017-12-5 23:59:44

xiepan2010 发表于 2017-12-5 22:58
干扰和稳定性这个问题太复杂了，加上我这是做机械的，没什么仪器，示波器还是自己买的其实有了仪器也 ...

你的波形是带载的时候的波形么？
带电机的时候是什么阶段烧的？启动？加速？减速？停机？

mkliop · 发表于 2017-12-6 00:02:31

xiepan2010 发表于 2017-12-5 23:51
明天过去看看他们专业的是用什么示波器，我也照着买一个

嗯看那样子像是米勒效应造成的干扰这种干扰很常见但是必须得弄好它是个大隐患一般管子4V就开始导通了那个尖峰不知道多大就算现在没问题到了客户手里也说不准。

xiepan2010 · 发表于 2017-12-6 00:03:54

Elex 发表于 2017-12-5 23:59
你的波形是带载的时候的波形么？
带电机的时候是什么阶段烧的？启动？加速？减速？停机？ ...

波形空载和带载没区别，烧毁时刻几个阶段好像都有过

xiepan2010 · 发表于 2017-12-6 00:04:59

mkliop 发表于 2017-12-6 00:02
嗯看那样子像是米勒效应造成的干扰这种干扰很常见但是必须得弄好它是个大隐患一般管子4V就开始导通了 ...

按理说这样的话正常转的时候mos就应该先发热的

mkliop · 发表于 2017-12-6 00:07:24

xiepan2010 发表于 2017-12-6 00:04
按理说这样的话正常转的时候mos就应该先发热的

几个超过阈值的脉冲就能让MOS管烧坏了来不及发热

hd12 · 发表于 2017-12-6 01:41:00

本帖最后由 hd12 于 2017-12-6 01:49 编辑

你提到空载时刻也会有烧毁，一种可能是MOSFET安装过程中已经被静电损伤，现在冬季，广东地区干燥季节摸什么都容易起静电。出现在最左边，也许是坏了后接着换上有问题的MOSFET
另一个可能是shoot through造成的问题，可能有2方面
1. 一个管子没关闭，另一个就导通，
解决办法：增加死区时间，但IR2184固定500ns，没办法调整

2. 一个管子的导通时刻DV/DT太快，而驱动电路驱动能力，或布线原因，不足以在瞬时将另一只管的栅极控制在截至范围内，最终密勒效应导致另一个管子瞬间导通，这种问题即使增加死区时间，也无法解决
  解决办法：降低管子的开启速度，改电路增强驱动电路关闭能力，改PCB走线布局
  当前解决方法：将R52 R59这2个位置栅极驱动电阻改成更大阻值的电阻，比如12R，电阻大会导致MOSFET开关损坏增大，小了起不到作用。因为你的电路上管回路多一个R56=4.7R电阻，上管被误开启的机率比下管大。
  空载时对着示波器边换边观察波形就行，不用带负载，最好的效果是增大到下管开启时，上管栅极的尖峰电压低于MOS的开启电压2V即可，再留点余量。差不多了再带负载测栅极波形看一下，检验下。

以后改电路的时，把R56这种位置的电阻改到boost二极管后面串联，当前位置容易降低上管保持关闭状态的驱动能力

Firman · 发表于 2017-12-6 07:07:21

拆过一个电动车PG电路，印象中是上臂PWM调速，PWM关断时，下臂两个mos管都导通，应该是放掉感生电流。

电机驱动MOS异常烧毁问题有效解决 2000以上感谢费

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